OP275
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OP275
量产双极性/JFET双通道音频运算放大器
- 产品模型
- 4
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产品详情
- 出色的声学特性
- 低噪声： 6 nV/√Hz
- 低失真： 0.0006%
- 高压摆率： 22 V/µs
- 宽带宽： 9 MHz
- 低电源电流： 5 mA
- 低失调电压： 1 mV
- 低失调电流： 2 nA
- 单位增益稳定
- SOIC-8封装
- PDIP-8封装
OP275是一款采用巴特勒放大器前端的放大器。这种新型前端设计集双极性与JFET晶体管于一体，兼有双极性晶体管的精度和低噪声性能，以及JFET晶体管的速度和音质。总谐波失真+噪声(THD+N)与以前的音频放大器相当，但电源电流低得多。
l/f转折频率低于6 Hz，因而噪声密度响应很平坦。无论在30 Hz还是1 kHz测量噪声，其值仅为6 nV/√Hz。即使在需要较大输出摆幅时，输入级的JFET部分也能使OP275具有高压摆率，从而保持低失真。该器件的压摆率为22 V/µs，在所有标准音频放大器中最快。最可喜的是，实现这种低噪声和高速性能所耗用的电源电流不到5 mA，低于所有标准音频放大器。
相对于纯双极性设计，偏置和失调电流大大降低，从而改善了直流性能。输入失调电压能保证达到1 mV，通常低于200 µV。因此OP275可以用在许多直流耦合或求和应用中，无需进行特别选择，或者因采用附加失调电压调整电路而增加噪声。
驱动600 Ω负载时输出电压达10 V rms，同时保持低失真。3 V rms时总谐波失真+噪声低至0.0006%。
OP275的额定温度范围为-40°C至+85°C扩展工业温度范围。OP275提供塑封DIP和SOIC-8两种封装。SOIC-8封装以2500片卷盘形式提供。出于各种原因，许多音频放大器都不提供SOIC-8表贴封装；不过，OP275经过特别设计，采用表贴封装也能提供高性能。
参考资料
数据手册 1
应用笔记 3
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| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| OP275GPZ | 8-Lead PDIP | ||
| OP275GSZ | 8-Lead SOIC | ||
| OP275GSZ-REEL | 8-Lead SOIC | ||
| OP275GSZ-REEL7 | 8-Lead SOIC |
| 产品型号 | 产品生命周期 | PCN |
|---|---|---|
|
11月 9, 2011 - 11_0182 Test Site Transfer from Analog Devices Philippines Inc in Paranaque to Analog Devices General Trias in Cavite, Philippines |
||
| OP275GPZ | 量产 | |
|
8月 19, 2009 - 07_0024 Package Material Changes for SOT23, MiniSO, MQFP, PDIP, PLCC, SOIC (narrow and wide body), SSOP, TSSOP and TSSOP exposed pad |
||
| OP275GPZ | 量产 | |
这是最新版本的数据手册
硬件生态系统
| 部分模型 | 产品周期 | 描述 |
|---|---|---|
| ADA4075-2 | 量产 | 低功耗、超低噪声放大器 |
工具及仿真模型
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- OP275G SPICE Macro Model Rev. B, 10/92
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