LTC7890
推荐新设计使用用于 GaN FET 的低 IQ、双路、2 相同步降压控制器
- 产品模型
- 2
产品详情
- 为 GaN FET 全面优化的 GDN 驱动器技术
- 宽 VIN 范围:4V 至 100V
- 宽输出电压范围:0.8V ≤ VOUT ≤ 60V
- 无需环流、箝位或阴极负载二极管
- 内部智能引导开关可防止高端驱动器电源过度充电
- 经过内部优化,智能近零停滞时间或电阻可调停滞时间
- 可调的开/关驱动器强度的分流输出栅极驱动器
- 精确可调驱动器电压和 UVLO
- 低 IQ:5 μA(48 VIN 至 5 VOUT,通道 1 开启)
- 可编程频率(100kHz 至 3MHz)
- 可同步频率(100kHz 至 3MHz)
- 展频 (SSFM)
- 40 引脚 (6mm × 6mm) 侧面可湿性 QFN 封装
LTC7890 是一款高性能、双降压型 DC/DC 开关稳压器控制器,通过高达 100V 的输入电压驱动所有 N 通道同步氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 功率级。LTC7890 解决了许多使用 GaN FET 时通常会面临的挑战。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 解决方案相比,LTC7890 简化了应用设计,无需保护二极管和其他附加外部元件。
内部智能自举开关可防止 BOOSTx 引脚至 SWx 引脚高端驱动器电源在死区时间内过度充电,从而保护顶部 GaN FET 的栅极。LTC7890 在内部优化了两个开关终端上的栅极驱动器时序,从而实现智能近零停滞时间,显著提高效率,并且即使在高输入电压下也支持高频运行。或者,用户可使用外部电阻器调整停滞时间,从而留出一定裕量或定制应用。
LTC7890 的栅极驱动电压可在 4V 至 5.5V 范围内精确调节以优化性能,并且可使用不同的 GaN FET,甚至是逻辑电平 MOSFET。
应用
- 工业电源系统
- 军事航空电子和医疗系统
- 电信电源系统
参考资料
数据手册 1
用户手册 3
视频 5
解决方案设计及宣传手册 1
模拟对话 1
非常见问题 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号,脚注和 3D模型 |
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LTC7890RUJM#PBF | 40-Lead QFN (6mm x 6mm, Plastic Side Wettable) | ||
LTC7890RUJM#TRPBF | 40-Lead QFN (6mm x 6mm, Plastic Side Wettable) |
这是最新版本的数据手册
工具及仿真模型
LTspice 2
- LTC7890 - Step-Down (Buck) Regulators
- LTC7890 Example Circuit - High Voltage Synchronous Dual Output GaN FET Buck Controller 30-72Vin, 12V, 20A & 5V, 20A Outputs at 500kHz with EPC GaN FETs
LTspice中提供以下器件型号:
- LTC7890
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