LT1158

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半桥式 N 沟道功率 MOSFET 驱动器

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产品详情

  • 可将上端 MOSFET 的栅极驱动至高于 V+
  • 工作电源电压范围从 5V 至 30V
  • 150ns 转换时间 (驱动 3000pF 容性负载)
  • 峰值驱动器电流超过 500mA
  • 自适应非重叠栅极驱动
  • 连续电流限制保护功能
  • 自动停机和重试能力
  • 内部充电泵用于 DC 操作
  • 内置栅极电压保护电路
  • 与电流检测 MOSFET 兼容
  • TTL/CMOS 输入电平
  • 故障输出指示
LT1158
半桥式 N 沟道功率 MOSFET 驱动器
Top and Bottom Gate Waveforms Product Package 1 Product Package 2
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