GaNの能力を最大限に引き出すゲート・ドライバ、ハーフ・ブリッジに対応するGaN FET専用品
アナログ・デバイセズの「LT8418」は、窒化ガリウム（GaN）専用品として設計されたゲート・ドライバICです。100Vの入出力、ハーフ・ブリッジ構成に対応する製品であり、堅牢性と信頼性に優れた状態でGaN FETを制御できます。このICの特徴の1つは、スマート・ブートストラップ・スイッチを内蔵していることです。同スイッチは、VCCからバランスの取れたブートストラップ電圧を最小限のドロップアウト電圧で生成します。それにより、GaNベースのパワー・スイッチのゲートが損傷する可能性を低減できます。また、同ICは構成（コンフィギュレーション）が可能な製品であり、同期整流方式の降圧用／昇圧用のハーフ・ブリッジ構成やそれ以外のフルブリッジ構成などで使用できます。加えて、伝播遅延が小さく、遅延時間のマッチングも取れていることから、スイッチング周波数の高いDC/DCコンバータやモータ・ドライバ、オーディオ用D級アンプなどの用途に適しています。更に、パッケージとしてWLCSPを採用することで、寄生インダクタンスを最小限に抑えています。そのため、性能と電力密度の高さが求められる広範なアプリケーションに適用できます。同ICが備えるスプリット・ゲート・ドライバを使用すれば、GaN FETがターンオン／ターンオフする際のスルー・レートを調整可能です。それにより、リンギングを抑制し、EMI性能を最適化できるようになっています。
産業、データ・センター、ヘルスケア、宇宙など、GaNの導入が望まれている分野は少なくありません。LT8418を採用すれば、それらの分野の用途に適した高効率の電源ソリューションを、GaNをベースとして構築することができます。
GaNの能力を最大限に引き出すゲート・ドライバ、ハーフ・ブリッジに対応するGaN FET専用品
アナログ・デバイセズの「LT8418」は、窒化ガリウム（GaN）専用品として設計されたゲート・ドライバICです。100Vの入出力、ハーフ・ブリッジ構成に対応する製品であり、堅牢性と信頼性に優れた状態でGaN FETを制御できます。このICの特徴の1つは、スマート・ブートストラップ・スイッチを内蔵していることです。同スイッチは、VCCからバランスの取れたブートストラップ電圧を最小限のドロップアウト電圧で生成します。それにより、GaNベースのパワー・スイッチのゲートが損傷する可能性を低減できます。また、同ICは構成（コンフィギュレーション）が可能な製品であり、同期整流方式の降圧用／昇圧用のハーフ・ブリッジ構成やそれ以外のフルブリッジ構成などで使用できます。加えて、伝播遅延が小さく、遅延時間のマッチングも取れていることから、スイッチング周波数の高いDC/DCコンバータやモータ・ドライバ、オーディオ用D級アンプなどの用途に適しています。更に、パッケージとしてWLCSPを採用することで、寄生インダクタンスを最小限に抑えています。そのため、性能と電力密度の高さが求められる広範なアプリケーションに適用できます。同ICが備えるスプリット・ゲート・ドライバを使用すれば、GaN FETがターンオン／ターンオフする際のスルー・レートを調整可能です。それにより、リンギングを抑制し、EMI性能を最適化できるようになっています。
産業、データ・センター、ヘルスケア、宇宙など、GaNの導入が望まれている分野は少なくありません。LT8418を採用すれば、それらの分野の用途に適した高効率の電源ソリューションを、GaNをベースとして構築することができます。
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