
窒化ガリウム(GaN)技術
高電力密度の窒化ガリウム(GaN)は、より小さな実装面積、少ない部品点数、より小型で軽量なシステムで高出力を実現します。そのため、システムの信頼性と効率が更に高まります。
アナログ・デバイセズはGaNデバイスの設計とサポートの面で広く深い専門技術を持ち、その分野に関する深い知識を備えているため、GaN技術の利点を実現する上で最適なパートナーです。
GaNの革新を進めるアナログ・デバイセズ
GaNは、パワー・エレクトロニクスおよび無線周波数(RF)両方のアプリケーションにおける従来技術に勝る、いくつかの大きな利点を備えた革命的半導体材料として出現しました。アナログ・デバイセズはGaNを利用して、より高い電力密度、優れた効率、そして超高速のスイッチング速度を備えたソリューションを開発し、実現しています。GaNの多用途性は、高周波数で動作できることや高い電力密度を扱うことができることと相まって、パワー・エレクトロニクス、電気通信、航空宇宙および防衛、その他様々な分野で革新を実現する、非常に重要な技術として位置付けられています。
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