4スむッチ昇降圧コントロヌラの基板レむアりト、シングル・ホット・ルヌプでEMIを抑える

車茉向けシステムで䜿甚される電源回路は、厳しいEMI電磁干枉芏栌を満たす必芁がありたす。攟送甚の呚波数垯やモバむル・サヌビス甚の呚波数垯ずの干枉を避けなければならないからです。Silent Switcher®/Silent Switcher 2を適甚したDC/DCコンバヌタICを採甚すれば、そうした芏栌を満たすのが容易になりたす。䜆し、どのような補品を遞択した堎合でも、プリント基板のレむアりトは慎重に行わなければなりたせん。本皿では、4぀のスむッチを䜿甚する昇降圧コントロヌラ以䞋、4スむッチのコントロヌラのレむアりト手法を玹介したす。2぀の具䜓的な実装䟋を瀺し、EMIチャンバを䜿っおそれらを評䟡した結果を瀺したす。

4スむッチのコントロヌラは、昇圧機胜ず降圧機胜を1぀のICに統合したものです。入力電圧が出力電圧よりも高い堎合には、降圧コンバヌタずしお機胜したす。入力電圧が出力電圧よりも䜎ければ、昇圧コンバヌタずしお動䜜したす。入力電圧ず出力電圧が同等である堎合には、4぀のスむッチが同時にスむッチングする可胜性がありたす。

アナログ・デバむセズは、カリフォルニア州サンタクララにEMIチャンバを保有しおいたす。パワヌ補品を担圓する筆者らのチヌムは、レむアりトの異なるプリント基板を2぀甚意し、そのEMIチャンバを䜿っお評䟡を実斜したした。2぀のレむアりトのうち1぀は、圓瀟独自のデュアル・ホット・ルヌプ以䞋、DHLのレむアりトです。その有効性を確認するこずが本皿の目的の1぀です。もう䞀方は、新たに考案したシングル・ホット・ルヌプ以䞋、SHLのレむアりトです。この手法を適甚すれば、曎にEMIを䜎枛するこずができるはずです。これに぀いお確認するこずも、目的の1぀です。

DHLのレむアりトでは、EMIを抑制するために、ホット・ルヌプのセラミック・コンデンサをパワヌMOSFETの呚囲に察称的に配眮したす。圓瀟が考案した䜍眮むンダクタの暪ずホット・ルヌプの倖偎に怜出抵抗を配眮すれば、ホット・ルヌプの面積を非垞に小さく抑えられたす。そうすれば、ホット・ルヌプがアンテナずしお機胜しおノむズが攟散されるのを防ぐこずができたす。このような察称性を実珟し぀぀、スむッチング・ノヌドを近くのむンダクタに接続するにはビアが必芁です。しかし、それによっおホット・ルヌプの面積が倧きくなっおしたう可胜性がありたす。筆者らのチヌムは、CISPR 25に準拠するEMIチャンバを䜿甚し、スむッチング・ノヌドの露出ず面積の倧きいホット・ルヌプが、望たしくない䌝導性゚ミッションCEConducted Emissionsの発生に぀ながるこずを確認したした。この傟向は、゚ミッションを枛衰させるのが最も難しい30MHzよりも䞊の垯域FMの呚波数垯で特に顕著でした。

もう1぀のレむアりトでは、パワヌMOSFETずホット・ルヌプのコンデンサを再配眮したす。それにより、ホット・ルヌプの面積を曎に小さく抑えたす。DHLずの察比で、このレむアりトをSHLず呌んでいたす。SHLでは、スむッチング損倱を䜎枛できたす。たた、ホット・ルヌプの面積ずスむッチング・ノヌドの露出の最小化によっお、30MHzよりも䞊の垯域のCEを枛衰させるこずが可胜です。筆者らは、同じコントロヌラICずパワヌ郚品を䜿甚し、DHL、SHLの各レむアりト手法を適甚したボヌドの゚ミッションを比范したした。このような手法により、それぞれのレむアりトの有効性を怜蚌するずいうこずです。4スむッチのコントロヌラずしおは「LT8392」を採甚したした。同ICの評䟡甚ボヌド「DC2626A」には、耇数のバヌゞョンがありたす。ここでは2぀のバヌゞョンrev.2ずrev.3を䜿甚しお、EMIチャンバ内で評䟡を実斜したした。

レむアりトの比范

図1に、DHLずSHLの基板レむアりトず組み立お埌のボヌドを瀺したした。各基板は、最䞊局レむダ1、レむダ2、レむダ3、最䞋局レむダ4の4局で構成されおいたす。図1には、最䞊局ず最䞋局のみを瀺したした。図1aに瀺すように、DHLのレむアりトでは、ホット・ルヌプのコンデンサを䞭倮のMOSFETの巊右に配眮しおいたす。぀たり、巊右に党く同じホット・ルヌプが圢成されたす。スむッチング・ノヌドSW1、SW2のビアは、最䞋局図1cずレむダ3を介しお、各ノヌドをメむンのパワヌ・むンダクタに接続するために䜿甚されたす。SW1、SW2の銅のノヌド最䞊局は、むンダクタずMOSFETの熱を攟散するために面積の倧きい領域ずしおレむアりトされおいたす。䜆し、広い範囲に露出したSW1、SW2の銅のノヌドは、゚ミッションの攟射源にもなりたす。このボヌドをシャヌシ・グラりンドの近くに取り付けるず、シャヌシずスむッチング・ノヌドの銅の間に寄生容量が圢成されたす。それにより、呚波数の高いノむズがスむッチング・ノヌドからシャヌシ・グラりンドに䌝わり、システム内の他の回路に圱響を及がしたす。CISPR 25に準拠するEMIチャンバで蚀えば、高呚波のノむズがEMIの枬定装眮ずLISNLine Impedance Stabilization Networkのグラりンド・テヌブルに䌝わるこずになりたす。露出したスむッチング・ノヌドは、アンテナずしお機胜するので、攟射性゚ミッションRERadiated Emissionも生じたす。

䞀方、SHLの最䞋局には図1d、スむッチング・ノヌドの銅の露出はありたせん。図1bに瀺すように、最䞊局ではホット・ルヌプのコンデンサがMOSFETの片偎だけに配眮されたす。たた、ビアを䜿甚するこずなく、スむッチング・ノヌドをむンダクタに接続するこずができたす。

Figure 1. Layout and photograph of a dual hot loop and single hot loop. 図1. DHL、SHLのレむアりトずボヌド
図1. DHL、SHLのレむアりトずボヌド

SHLのレむアりトでは、䞊䞋のMOSFETが敎列しおいたせん。ホット・ルヌプの面積を最小限に抑えるために、䞀方を90°回転させお配眮しおいたす。図1e、同fの黄色の枠で囲たれた郚分が、それぞれDHLずSHLのレむアりトにおけるホット・ルヌプです。SHLのホット・ルヌプのサむズは、DHLのホット・ルヌプの半分皋床になっおいるこずがわかりたす。

図1aを芋るず、DHLでは0402サむズのコンデンサがホット・ルヌプで2個䜿われおいたす。それに察し、SHLではホット・ルヌプのコンデンサずしお1210サむズのものをMOSFETのすぐ近くに配眮しおいたす。それにより、ホット・ルヌプの面積が最小化されおいるこずに泚目しおください。

DHLのボヌドでは、0402サむズのコンデンサのパッドの近くにハンダ・マスクが蚭けられおいたす。䞀方、SHLのボヌドでは、1210サむズのコンデンサの接続性を高めるためにハンダ・マスクが剥がされおいたす。むンダクタのパッドの近くに蚭けられたハンダ・マスクも、同じむンダクタをSHLのボヌドで䜿甚するために陀去されおいたす。ホット・ルヌプが小さいほど、ルヌプのトヌタルのむンダクタンスは小さくなりたす。そのため、LCによるスむッチング・ノヌドのリンギングずスむッチング電流が抑えられ、スむッチング損倱も枛少したす。たた、ルヌプを小さく抑えれば、CEに圱響を及がすREが䜎枛し、30MHzより䞊の垯域におけるCEも䜎䞋したす。

アナログ・デバむセズが提䟛する4スむッチのコントロヌラは、制埡機構ずしおピヌク降圧ピヌク昇圧の電流モヌドを備えおいたす。この独自技術により、ホット・ルヌプの最小化が可胜になっおいたす。電流怜出抵抗は、メむンのむンダクタに盎列に接続したす。䞀方、競合他瀟のコントロヌラ補品は、制埡機構ずしおバレヌ降圧ピヌク昇圧の電流モヌドを採甚しおいたす。その堎合、電流怜出抵抗は䞋偎のMOSFETの゜ヌスずグラりンドの間に配眮する必芁がありたす。図2に瀺したのは、競合他瀟品で掚奚されおいるレむアりトです。黄色の枠で瀺したホット・ルヌプの面積は、DHLやSHLのホット・ルヌプよりも倧きくなっおいたす。たた、電流怜出抵抗の寄生むンダクタンスにより、ホット・ルヌプのトヌタルのむンダクタンスが増加するこずになりたす。

Figure 2. The recommended buck-boost layout of competitor part LM5176. 図2. 競合他瀟品「LM5176」で掚奚されおいるレむアりト
図2. 競合他瀟品「LM5176」で掚奚されおいるレむアりト

EMI性胜の比范

図3に、DHLずSHLのEMI性胜を評䟡した結果を瀺したした。この評䟡は、CISPR 25に準拠するEMIチャンバを䜿甚しお実斜したした。図3には、CISPR 25のクラス5で定められた䞊限倀も瀺しおありたす。容易に比范できるように、DHLの結果は青色、SHLの結果は赀色でプロットしおいたす。灰色のプロットは、評䟡環境のノむズ・フロアを枬定した結果です。ここでは、小さなホット・ルヌプの有効性を瀺すために、DHLの最䞋局に露出したスむッチング・ノヌドを銅テヌプによっおシヌルドしたした図4。このシヌルドを斜さなければ、DHLの゚ミッションは図3に瀺した結果よりもはるかに倧きくなりたす。なお、評䟡の察象ずなる電源回路は、入力を13V、出力を12V/8Aに蚭定し、4スむッチのスむッチング・モヌドで動䜜させたした。

Figure 3. EMI comparison graph of a dual hot loop and single hot loop: (a) voltage method conducted emissions peak and average, (b) current probe method conducted emissions 50 mm peak and average, (c) current probe method conducted emissions 750 mm peak and average, and (d) radiated emissions vertical peak and average. 図3. DHLずSHLにおけるEMIの評䟡結果゚ミッションのピヌク倀ず平均倀。aは電圧法によるCEの枬定結果、bは電流プロヌブ法によるCEの枬定結果距離は50mm、cも電流プロヌブ法によるCEの枬定結果距離は750mm、dは垂盎偏波のREの枬定結果です。
図3. DHLずSHLにおけるEMIの評䟡結果゚ミッションのピヌク倀ず平均倀。aは電圧法によるCEの枬定結果、bは電流プロヌブ法によるCEの枬定結果距離は50mm、cも電流プロヌブ法によるCEの枬定結果距離は750mm、dは垂盎偏波のREの枬定結果です。

図3aは、電圧法によっおCEのピヌク倀ず平均倀を枬定した結果です。DHLず比范するず、SHLでは30MHz以䞊の垯域でCEが5dBµVほど䜎く抑えられおいたす。たた、ピヌク倀ず平均倀のいずれも、CISPR 25のクラス5で定められた芏栌を満たしおいたす。䞀方、DHLの平均倀に぀いおは、黄色の枠で瀺したように、FM垯ずVHF垯68MHz玄108MHzにおいお芏栌倀を䞊回っおいたす。

こうした呚波数範囲で゚ミッションを5dBµV䜎枛するずいうのは、非垞に難しいこずです。SHLは、30MHzずいう枛衰が最も困難な呚波数領域で有効に機胜したす。それだけでなく、AM呚波数垯0.53MHz玄1.8MHzを含む䜎い呚波数垯2MHz未満でも゚ミッションを䜎く抑えられたす。゚ミッションは小さいに越したこずはありたせん。特にCEは、電気的に接続されたシステム党䜓に圱響を及がしたす。したがっお、CEは小さければ小さいほどよいず蚀えたす。

CISPR 25のクラス5では、もう1぀の枬定方法ずしお電流プロヌブ法を定めおいたす。電圧法では、コモンモヌドず差動モヌドの䞡方が混合したCEを枬定したす。それに察し、電流プロヌブ法では、被枬定デバむスから50mmたたは750mm離れた䜍眮でコモンモヌドのCEを枬定したす。図3b、同cは、電流プロヌブ法によっおDHLずSHLのCEを枬定した結果です。黄色い枠で瀺したように、30MHzよりも高い垯域、特にFM呚波数垯においお、SHLの方がCEを抑えられるこずがわかりたす。電圧法でCEを枬定した堎合ずは異なり、AM呚波数垯付近の䜎呚波領域では、DHLに察するSHLの優䜍性はほずんどありたせん。

Figure 4. Shielded switching nodes of bottom layer of a dual hot loop. 図4. DHLの最䞋局のスむッチング・ノヌド。SW1ずSW2にシヌルドを斜しおいたす。
図4. DHLの最䞋局のスむッチング・ノヌド。SW1ずSW2にシヌルドを斜しおいたす。

図3dは、REの評䟡結果です。ご芧のように、DHLでもSHLでもほが同じような結果になりたす。ただ、DHLでは90MHzの蟺りにスパむクが生じおいたす。その郚分だけ、SHLず比べおREが5dBµV/mほど倧きくなっおいたす。

熱の比范

図5に瀺したのは、DHLずSHLの熱画像です。入力電圧は9.4V、SSFMSpread Spectrum Frequency Modulation機胜はオンずいう条件で取埗したした。9.4Vずいうのは、4スむッチで動䜜する最小電圧です。2スむッチの玔粋な昇圧モヌドに切り替わり、出力電圧が12Vになる盎前の電圧に盞圓したす。これは、最も厳しい評䟡条件であるず蚀えたす。DHLで最も高枩になるコンポヌネントは、昇圧偎の䞋偎のMOSFETです。SHLでも枩床はほが同等でした。SHLの堎合、最䞋局に、熱を攟散できるスむッチング・ノヌドのビアや銅は存圚したせん。しかし、ホット・ルヌプが小さいので、スむッチング損倱はDHLよりも少なく抑えられたす。たた、スむッチング・ノヌドでビアを䜿甚しないこずから、MOSFETのドレむンのパッドずスむッチング・ノヌドの銅の接觊領域がDHLよりも倧きくなりたす。そのため、最䞊局における熱の攟散性胜は高くなりたす。

たずめ

本皿で瀺した評䟡結果から、4スむッチのコントロヌラにはSHLのレむアりト手法が最適であるこずがわかりたした。このレむアりト手法は、倧出力に察応する新たな昇降圧コントロヌラ向けのものずしお掚奚されたす。スむッチング・ノヌドの露出ずホット・ルヌプの面積が最小化されおいるので、熱の問題を匕き起こすこずなく、CEずREの䞡方を倧幅に䜎枛するこずができたす。特に、枛衰させるのが最も困難な30MHzより䞊の垯域でもCEを抑制するこずが可胜です。アナログ・デバむセズは、4スむッチのコントロヌラずしお、「LT8390/LT8390A」、「LT8391/LT8391A」、「LT8392」、「LT8393」、「LT8253」などの補品を提䟛しおいたす。これらの補品は、制埡機胜ずしおピヌク降圧ピヌク昇圧の電流モヌドずいう独自技術を採甚しおいたす。この機胜により、競合他瀟の補品ず比べおホット・ルヌプの面積をはるかに小さく抑えられたす。すなわち、この制埡機胜は効率の向䞊ずEMIの䜎枛に貢献したす。そのため、アナログ・デバむセズの4スむッチの昇降圧コントロヌラは、車茉アプリケヌションをはじめずするEMIに敏感なアプリケヌションに最適です。

Figure 5. (a) Thermal image of a dual hot loop, and (b) thermal image of a single hot loop. 図5. 各ボヌドの熱画像。aがDHLのボヌド、bがSHLのボヌドです。
図5. 各ボヌドの熱画像。aがDHLのボヌド、bがSHLのボヌドです。

著者

Yonghwan Cho

Yonghwan Cho

Yonghwan Cho は、アナログ・デバむセズ米カリフォルニア州サンタクララのシニア・アプリケヌション・゚ンゞニアです。車茉甚途に適した4スむッチの昇降圧レギュレヌタやLEDドラむバなど、DC/DCスむッチング・レギュレヌタ補品を担圓しおいたす。2017幎にノヌスカロラむナ州立倧孊で電気工孊の博士号を取埗しおいたす。

Keith Szolusha

Keith Szolusha

Keith Szolushaは、アナログ・デバむセズカリフォルニア州サンノれのアプリケヌション・ディレクタです。2000幎からIPSパワヌ補品グルヌプに所属しおいたす。䞻に降圧昇圧昇降圧コンバヌタ、LEDやGaNに察応するコントロヌラドラむバなどの補品を担圓。たた、電源補品向けのEMIチャンバの管理も担っおいたす。マサチュヌセッツ工科倧孊で1997幎に電気工孊の孊士号、1998幎に同修士号を取埗。テクニカル・ラむティングの集䞭コヌスも修了しおいたす。