DS1250AB
製造中4096k不揮発性SRAM
- 製品モデル
- 5
- 1Ku当たりの価格
- 最低価格:$82.24
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製品の詳細
- 外部電源なしで最低10年間データを保持
- 停電中は、データを自動的に保護
- 512k x 8揮発性スタティックRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリに置換え可能
- 無制限の書込みサイクル
- 低電力CMOS
- 70nsの読取り/書込みアクセス時間
- 電源初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断
- ±10% VCCの動作電圧範囲(DS1250Y)
- オプションとして、±5% VCCの動作電圧範囲(DS1250AB)
- オプションとして、-40℃~+85℃の工業用温度範囲(INDと指定)
- JEDEC規格準拠32ピンDIPパッケージ
- PowerCapモジュール(PCM)パッケージ
- 直接表面実装可能なモジュール
- 交換可能なスナップ式PowerCapによりリチウムバックアップ電池を供給
- すべての不揮発性SRAM製品を考慮して標準化したピン配列
- PCMは一般のスクリュードライバで容易に取外し可能
4096k不揮発性SRAMのDS1250は、4,194,304ビット(524,288ワードx 8ビット構成)の完全スタティック、不揮発性SRAMです。各NV SRAMは、リチウム電池と制御回路を内蔵し、これによってVCCの許容範囲からの外れが常に監視されます。VCCが許容範囲から外れると、リチウム電池が自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になりデータ破壊を防止します。DIPパッケージDS1250デバイスは、通常のバイト長の32ピンDIP規格に適合する既存の512k x 8スタティックRAMと置換使用することができます。また、PowerCapモジュールパッケージのDS1250デバイスは、そのまま表面実装可能で、通常はDS9034PC PowerCapとペアで完全な不揮発性SRAMモジュールを構成します。実行可能な書込みのサイクル数に制限がなく、マイクロプロセッサとのインタフェースに対して回路の追加の必要がありません。
ドキュメント
データシート 2
デザイン・ノート 5
技術記事 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
---|---|---|---|
DS1250AB-100+ | Encapsulated Dual-In-Line Module | ||
DS1250AB-100IND+ | N/A | ||
DS1250AB-70+ | Encapsulated Dual-In-Line Module | ||
DS1250AB-70IND+ | Encapsulated Dual-In-Line Module | ||
DS1250ABP-100+ | PowerCap Module |
製品モデル | 製品ライフサイクル | PCN |
---|---|---|
10 2, 2015 - 1479L ASSEMBLY |
||
DS1250AB-100+ | 最終販売 | |
DS1250AB-100IND+ | 製造中 | |
DS1250AB-70+ | 製造中 | |
DS1250AB-70IND+ | 製造中 |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
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