DS1230AB
製造中256k不揮発性SRAM
- 製品モデル
- 10
- 1Ku当たりの価格
- 最低価格:$20.55
Viewing:
製品の詳細
- 外部電源なしで最低10年間データを保持
- 停電中は、データを自動的に保護
- 32k x 8揮発性スタティックRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリに置換え可能
- 無制限の書込みサイクル
- 低電力CMOS
- 70nsの読取り/書込みアクセス時間
- 電源が初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断
- 最大±10% VCCの動作範囲(DS1230Y)
- オプションとして、±5% VCCの動作範囲(DS1230AB)
- オプションとして、-40℃~+85℃の工業用温度範囲(INDと指定)
- JEDEC規格準拠28ピンDIPパッケージ
- PowerCapモジュール(PCM)パッケージ
- 直接表面実装可能なモジュール
- 交換可能なスナップ式PowerCapによりリチウムバックアップ電池を実装
- すべての不揮発性SRAM製品を考慮し標準化したピン配列
- 一般のスクリュードライバでPowerCapの取外しは容易
256k不揮発性(NV) SRAMのDS1230は、262,144ビット(32,768ワード x 8ビット構成)の完全スタティック不揮発性SRAMです。各NV SRAMは、リチウム電池と制御回路を内蔵し、これらによってVCCの許容範囲からの外れを常に監視しています。VCCが許容範囲から外れると、リチウム電池が自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になってデータ破壊を防止します。DIPパッケージのDS1230デバイスは、通常のバイト長の28ピンDIP規格に適合した既存の32k x 8スタティックRAMと置換使用できます。また、このDIPデバイスは、ピン配列が28256 EEPROMと同一なので、性能を向上させる際にそのまま置換使用できます。薄型モジュールパッケージで提供されるDS1230は、そのまま表面実装することができます。実行可能な書込みサイクル数に制限はなく、マイクロプロセッサとのインタフェースに対し回路を追加する必要がありません。
ドキュメント
データシート 2
信頼性データ 1
アプリケーション・ノート 1
デザイン・ノート 5
技術記事 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
---|---|---|---|
DS1230AB-100+ | Encapsulated Dual-In-Line Module | ||
DS1230AB-120+ | Encapsulated Dual-In-Line Module | ||
DS1230AB-120IND+ | Encapsulated Dual-In-Line Module | ||
DS1230AB-150+ | Encapsulated Dual-In-Line Module | ||
DS1230AB-200+ | Encapsulated Dual-In-Line Module | ||
DS1230AB-70+ | Encapsulated Dual-In-Line Module | ||
DS1230AB-70IND+ | Encapsulated Dual-In-Line Module | ||
DS1230AB-85+ | Encapsulated Dual-In-Line Module | ||
DS1230ABP-100+ | PowerCap Module | ||
DS1230ABP-70+ | PowerCap Module |
製品モデル | 製品ライフサイクル | PCN |
---|---|---|
9 29, 2015 - 1479K ASSEMBLY |
||
DS1230AB-100+ | 製造中 | |
DS1230AB-120+ | 製造中 | |
DS1230AB-120IND+ | 製造中 | |
DS1230AB-150+ | 製造中 | |
DS1230AB-200+ | 製造中 | |
DS1230AB-70+ | 製造中 | |
DS1230AB-70IND+ | 製造中 | |
DS1230AB-85+ | 製造中 |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
最新のディスカッション
ds1230abに関するディスカッションはまだありません。意見を投稿しますか?
EngineerZone®でディスカッションを始める