DS1220AD
製造中16k不揮発性SRAM
- 製品モデル
- 6
- 1Ku当たりの価格
- 最低価格:$11.61
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製品の詳細
- 外部電源なしで最低10年間データを保持
- 停電中は、データを自動的に保護
- 2k x 8揮発性スタティックRAMまたはEEPROMに直接置換え可能
- 無制限の書込みサイクル
- 低電力CMOS
- JEDEC規格準拠24ピンDIPパッケージ
- 100nsの読取り/書込みアクセス時間
- 電源初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断
- 最大±10% VCCの動作範囲(DS1220AD)
- オプションとして、±5% VCCの動作範囲(DS1220AB)
- オプションとして、-40℃~+85℃の工業用温度範囲(INDと指定)
16k不揮発性(NV) SRAMのDS1220ABとDS1220ADは、16,384ビット(2048ワード x 8ビット構成)の完全スタティックNV SRAMです。各NV SRAMは、リチウム電池と制御回路を内蔵し、これらによってVCCの許容範囲からの外れを常に監視しています。VCCが許容範囲から外れると、リチウム電池が自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になってデータ破壊を防止します。NV SRAMは、通常のバイト長24ピンDIP規格に適合した既存の2k x 8 SRAMと置換使用できます。また、このデバイスは、ピン配列が2716 EPROMと2816 EEPROMと同一なので、性能を向上させる際にそのまま置換使用できます。実行可能な書込みサイクル数に制限がなく、またマイクロプロセッサとのインタフェースに対し回路を追加する必要がありません。
ドキュメント
データシート 2
デザイン・ノート 4
技術記事 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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DS1220AD-100+ | Encapsulated Dual-In-Line Module | ||
DS1220AD-100IND+ | Encapsulated Dual-In-Line Module | ||
DS1220AD-120+ | Encapsulated Dual-In-Line Module | ||
DS1220AD-150+ | Encapsulated Dual-In-Line Module | ||
DS1220AD-200+ | Encapsulated Dual-In-Line Module | ||
DS1220AD-200IND+ | Encapsulated Dual-In-Line Module |
製品モデル | 製品ライフサイクル | PCN |
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9 29, 2015 - 1479K ASSEMBLY |
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DS1220AD-100+ | 製造中 | |
DS1220AD-100IND+ | 製造中 | |
DS1220AD-120+ | 製造中 | |
DS1220AD-150+ | 製造中 | |
DS1220AD-200+ | 製造中 | |
DS1220AD-200IND+ | 製造中 |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
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