MXD1210
量产非易失RAM控制器
- 产品模型
- 8
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产品详情
- 备用电池
- 存储器写保护
- 工作模式静态电流：230µA
- 备用模式静态电流：2nA
- 电池保鲜密封
- 可选冗余电池
- VCC 电源开关具有低正向压降
- 5%或10%电源故障检测选项
- 在上电期间测试电池状况
- 采用8引脚SO封装
MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS电路，可将标准（易失性）CMOS RAM转换为非易失性存储器。它还会持续监控电源，以在RAM的电源处于边际（超出容限）条件时提供RAM写保护。当电源开始出现故障时，RAM受到写保护，并且器件切换到电池备用模式。
应用
- µP控制系统
- 计算机：台式机、工作站和服务器
- 嵌入式系统
参考资料
数据手册 2
可靠性数据 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| MXD1210CPA+ | Plastic Dual-In-Line, Narrow (0.3in) | ||
| MXD1210CSA+ | Small-Outline IC, Narrow (0.15in) | ||
| MXD1210CSA+T | Small-Outline IC, Narrow (0.15in) | ||
| MXD1210CWE+ | Small-Outline IC, Wide (0.3in) | ||
| MXD1210EPA+ | Plastic Dual-In-Line, Narrow (0.3in) | ||
| MXD1210ESA+ | Small-Outline IC, Narrow (0.15in) | ||
| MXD1210ESA+T | Small-Outline IC, Narrow (0.15in) | ||
| MXD1210EWE+ | Small-Outline IC, Wide (0.3in) |
| 产品型号 | 产品生命周期 | PCN |
|---|---|---|
|
5月 22, 2018 - 1702N ASSEMBLY |
||
| MXD1210CSA+ | 量产 | |
| MXD1210CSA+T | 量产 | |
|
10月 30, 2020 - 1702R2 ASSEMBLY |
||
| MXD1210ESA+ | 量产 | |
| MXD1210ESA+T | 量产 | |
这是最新版本的数据手册
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