LTC4446
量产高电压高压侧/低压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器
- 产品模型
- 4
产品详情
- 自举电源电压高至 114V
- 宽 VCC 电压:7.2V 至 13.5V
- 2.5A 峰值顶端栅极上拉电流
- 3A 峰值底端栅极上拉电流
- 1.2Ω 顶端栅极驱动器下拉电阻
- 0.55Ω 底端栅极驱动器下拉电阻
- 5ns 顶端栅极下降时间驱动 1nF 负载
- 8ns 顶端栅极上升时间驱动 1nF 负载
- 3ns 底端栅极下降时间驱动 1nF 负载
- 6ns 底端栅极上升时间驱动 1nF 负载
- 可驱动高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET
- 具欠压闭锁功能
- 耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装
LTC®4446 是一款高频高电压栅极驱动器,可利用一个 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。LTC4446 用于顶端栅极驱动器的上拉电路具有 2.5A 的峰值输出电流,而其下拉电路则具有 1.2Ω 的输出阻抗。用于底端栅极驱动器的上拉电路具有 3A 的峰值输出电流,而其下拉电路则具有 0.55Ω 的输出阻抗。
LTC4446 针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源,此电源可以在高出地电位达 114V 的电压条件下运行。
LTC4446 包含欠压闭锁电路,用于在器件启动时停用外部 MOSFET。
LTC4446 采用耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装。
LTC4446 不具备自适应贯通保护功能。如需了解具自适应贯通保护功能的相似驱动器,请查阅下表。
参数 | LTC4446 | LTC4444 | LTC4444-5 |
贯通保护功能 | 无 | 有 | 有 |
绝对最大TS | 100V | 100V | 100V |
MOSFET 栅极驱动电压 | 7.2V 至 13.5V | 7.2V 至 13.5V | 4.5V 至 13.5V |
VCC UV+ | 6.6V | 6.6V | 4V |
VCC UV– | 6.15V | 6.15V | 3.5V |
Applications
- 分布式电源架构
- 汽车电源
- 高密度电源模块
- 电信系统
参考资料
数据手册 1
可靠性数据 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号,脚注和 3D模型 |
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LTC4446EMS8E#PBF | 8-Lead MSOP w/ EP | ||
LTC4446EMS8E#TRPBF | 8-Lead MSOP w/ EP | ||
LTC4446IMS8E#PBF | 8-Lead MSOP w/ EP | ||
LTC4446IMS8E#TRPBF | 8-Lead MSOP w/ EP |
产品型号 | 产品生命周期 | PCN |
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10月 11, 2022 - 22_0244 Epoxy Change from Henkel 8290 to 8290A for MSOP Package |
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LTC4446EMS8E#PBF | 量产 | |
LTC4446EMS8E#TRPBF | 量产 | |
LTC4446IMS8E#PBF | 量产 | |
LTC4446IMS8E#TRPBF | 量产 | |
2月 3, 2020 - 20_0128 Laser Top Mark for 8 Lead MSOP Packages Assembled in ADPG and UTAC |
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LTC4446EMS8E#PBF | 量产 | |
LTC4446EMS8E#TRPBF | 量产 | |
LTC4446IMS8E#PBF | 量产 | |
LTC4446IMS8E#TRPBF | 量产 |
这是最新版本的数据手册
工具及仿真模型
LTspice 2
- LTC4446 - Power Monitor, Control, and Protection
- LTC4446 Demo Circuit - Fast Turn-On/Turn-Off DC Switch (0-100V Input)
LTspice中提供以下器件型号:
- LTC4446
LTspice®是一款强大高效的免费仿真软件、原理图采集和波形观测器,为改善模拟电路的仿真提供增强功能和模型。
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