LTC4446

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高电压高压侧/低压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器

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产品详情

  • 自举电源电压高至 114V
  • 宽 VCC 电压:7.2V 至 13.5V
  • 2.5A 峰值顶端栅极上拉电流
  • 3A 峰值底端栅极上拉电流
  • 1.2Ω 顶端栅极驱动器下拉电阻
  • 0.55Ω 底端栅极驱动器下拉电阻
  • 5ns 顶端栅极下降时间驱动 1nF 负载
  • 8ns 顶端栅极上升时间驱动 1nF 负载
  • 3ns 底端栅极下降时间驱动 1nF 负载
  • 6ns 底端栅极上升时间驱动 1nF 负载
  • 可驱动高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET
  • 具欠压闭锁功能
  • 耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装
LTC4446
高电压高压侧/低压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器
Two Switch Forward Converter LTC4446 Driving a 1000pF Capacitive Load Product Package 1
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