ADRF5031
ADRF5031
推荐新设计使用9 kHz 至 20 GHz 非反射式硅 SPDT 开关
- 产品模型
- 2
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产品详情
- 带宽频率范围:9 kHz 至 20 GHz
- 非反射 50 Ω 设计
- 低插入损耗
- 9 kHz 至 6 GHz 范围内典型值为 0.6 dB
- 6 GHz 至 12 GHz 之间典型值为 0.8 dB
- 1 dB 典型值,最高 20 GHz
- 高隔离
- 9 kHz 至 6 GHz 范围内典型值为 55 dB
- 6 GHz 至 12 GHz 范围内典型值为 50 dB
- 然后直至 20 GHz 范围内,典型值为 45 dB
- 高输入线性度
- P0.1dB:35 dBm(典型值)
- IP3:62 dBm(典型值)
- 高 RF 功率处理能力
- 直通路径:峰值 35 dBm,平均 33 dBm
- 终止路径:峰值 32 dBm,平均 30 dBm
- 热切换(RFC):峰值 35 dBm,平均 33 dBm
- 热切换(RFx):峰值 32 dBm,平均 30 dBm
- 与 CMOS/LVTTL 兼容
- 无低频杂散;无负电压发生器
- RF 切换时间:5.0 微秒
- RF 建立时间 (0.1 dB):5.3 微秒
- 单电源供电能力(VDD = 3.3 V,VSS = 0 V)
- 20 端子、3 毫米 x 3 毫米 LGA 封装
- 引脚与 ADRF5023 & ADRF5027 兼容
ADRF5031 是一款非反射式 SPDT 开关,采用绝缘体上硅 (SOI) 工艺制造。ADRF5031 的工作频率范围为 9 kHz 至 20 GHz,插入损耗低于 1.05 dB,隔离度高于 45 dB。该器件的 RF 输入功率处理能力为:正向和反向直通路径、通过 RFC 端口进行热切换时平均为 33 dBm、峰值为 35 dBm;端接路径、通过 RFx 端口进行热切换时平均为 30 dBm、峰值为 32 dBm。ADRF5031 采用 ±3.3 V 双电源电压工作。ADRF5031 采用互补金属氧化物半导体 (CMOS) 和低压晶体管到晶体管逻辑 (LVTTL) 兼容控制。
ADRF5031 也可以在单个正电源电压 (VDD) 下工作,同时负电源电压 (VSS) 接地。在此工作条件下,小信号性能得以保持,但开关特性、线性度和功率处理性能有所降低。更多详细信息请参阅表 2。
ADRF5031 与 ADRF5023 和 ADRF5027 引脚兼容,也与 ADRF5030(快速开关版本)引脚兼容,工作频率范围为 100 MHz 至 20 GHz。
ADRF5031 采用 20 端子、3 mm × 3 mm、符合 RoHS 标准的平面栅格阵列 (LGA) 封装,工作温度范围为 −40°C 至 +105°C。
产品应用
- 测试仪器仪表
- 军用无线电、雷达和电子对抗措施 (ECM)
- 微波射频和甚小孔径终端 (VSAT)
参考资料
数据手册 1
用户手册 1
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产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号,脚注和 3D模型 |
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ADRF5031BCCZN | 20-treminal LGA (3 mm x 3 mm x 0.752 mm w/EP) | ||
ADRF5031BCCZN-R7 | 20-treminal LGA (3 mm x 3 mm x 0.752 mm w/EP) |
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