ADR440
量产超低噪声、2.048V LDO XFET®基准电压源，具有吸电流和源电流能力
- 产品模型
- 6
产品详情
- 超低噪声（0.1 Hz至10 Hz）
ADR440：1 μV p-p
ADR441：1.2 μV p-p
ADR443：1.4 μV p-p
ADR444：1.8 μV p-p
ADR445：2.25 μV p-p - 低压差工作：500 mV
- 出色的温度系数
A 级: 10 ppm/°C
B 级: 3 ppm/°C
- 输入范围: (VOUT + 500 mV) 至 18 V
- 高输出源电流和吸电流，分别为
+10 mA 和 −5 mA - 宽温度范围：−40°C至+125°C
ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445系列XFET®基准电压源具有超低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正专利技术和XFET（外加离子注入场效应管）技术，可以使ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445电压随温度变化的非线性度降至低点。
XFET基准电压源的噪声性能优于嵌入式齐纳基准电压源，且所需的电源电压裕量较小(500 mV)。这种特性组合使ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445系列非常适合高端数据采集系统、光学网络和医疗应用中的精密信号转换。
ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445系列的拉电流输出高达10 mA，灌电流能力最大为-5 mA。它还具有调整引脚，可以在0.5%范围内调整输出电压，而性能则不受影响。
ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445系列采用8引脚MSOP和窄体SOIC封装，提供两种电气等级。所有型号产品的额定温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。
应用
参考资料
数据手册 2
应用笔记 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| ADR440ARMZ | 8-Lead MSOP | ||
| ADR440ARMZ-REEL7 | 8-Lead MSOP | ||
| ADR440ARZ | 8-Lead SOIC | ||
| ADR440ARZ-REEL7 | 8-Lead SOIC | ||
| ADR440BRZ | 8-Lead SOIC | ||
| ADR440BRZ-REEL7 | 8-Lead SOIC |
| 产品型号 | 产品生命周期 | PCN |
|---|---|---|
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5月 15, 2012 - 10_0006 Halogen Free Material Change for mini SOIC Products |
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| ADR440ARMZ | 量产 | |
| ADR440ARMZ-REEL7 | 量产 | |
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9月 7, 2017 - 17_0079 Qualification of TeamQuest Technology Inc., Philippines as an Alternate Test Site for TC-Vos Testing |
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| ADR440ARZ | 量产 | |
| ADR440ARZ-REEL7 | 量产 | |
| ADR440BRZ | 量产 | |
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11月 23, 2010 - 10_0004 Halogen Free Material Change for SOIC Narrow Body Products Assembled at Amkor |
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| ADR440ARZ | 量产 | |
| ADR440ARZ-REEL7 | 量产 | |
| ADR440BRZ | 量产 | |
| ADR440BRZ-REEL7 | 量产 | |
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