ADuM4221-2
推荐新设计使用输出为 4 A 的双输入、隔离式半桥式栅极驱动器
- 产品模型
- 6
产品详情
- 4 A 峰值电流 (<2 Ω RDSON_x)
- 2.5 V 至 6.5 V 逻辑输入电压
- 4.5 V 至 35 V 输出电源电压
- UVLO VDD1 时,正向阈值2.5 V (最大值)
- VDDA和 VDDB 正向阀值上存在多个正向阈值 UVLO 选项
- A 级:4.5 V (最大值)
- B 级:7.5 V (最大值)
- C 级:11.6 V (最大值)
- 精准时序特性
- 44 ns 最大传播延迟
- 可调空载时间和双输入 (ADuM4221)
- 可调死区时间和单输入 (ADuM4221-1)
- 无空载时间控制和双输入 (ADuM4221-2)
- CMOS 输入逻辑电平
- 高共模瞬变抗扰度:150 kV/µs
- 高工作结温:125°C
- 默认低电平输出
- 安全和监管审批(申请中)
- UL 认证:符合 UL 1577
- 5700 V rms 持续 1 分钟
- CSA 元件验收通知 5A
- VDE 合规证书
- DIN V VDE V 0884-11:VIORM = 849 V 峰值
- UL 认证:符合 UL 1577
- 爬电距离增加的宽体、16 引脚 SOIC_IC
ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2 是 4 A 隔离式半桥栅极驱动器,采用 ADI 公司的 iCoupler® 技术提供独立且隔离的高端和低端输出。ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2 在爬电距离增加的宽体、16 引脚SOIC_IC 中提供 5700 V rms 隔离。这些隔离元件集高速 CMOS 和单片变压器技术于一身,性能比其他选择更优,的如兼备脉冲变压器和栅极驱动器特点。
隔离器采用 2.5 V 到 6.5 V 的逻辑输入电压范围,兼容较低的电压系统。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比, ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2 能在输入和输出之间提供真正的电气隔离。
ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2 均具有内置重叠保护,并允许调整空载时间。死区时间引脚 (DT) 和 GND1 引脚之间的单电阻设置了高端和低端输出的次级端空载时间。
如果 ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2 的内部温度超过热关断温度 (TSD),则内部热关断会将输出设置为低电平。因此,ADuM4121/ADuM4221-1/ADuM4221-2 能够在正或负开关电压下的开关电压范围内,可靠控制绝缘栅极双极晶体管 (IGBT) /金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 配置,从而实现简单的压摆率控制。
应用
- 开关式电源
- 隔离式 IGBT/MOSFET 栅极驱动器
- 工业反相器
- 氮化镓 (GaN)/碳化硅 (SiC) 兼容
1 受美国专利 5,952,849;6,873,065 和 7,075,239 保护。其它专利正在申请中。
参考资料
数据手册 1
用户手册 1
视频 4
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号,脚注和 3D模型 |
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ADUM4221-2ARIZ | 16-Lead SOIC (Increased Creepage) | ||
ADUM4221-2ARIZ-RL | 16-Lead SOIC (Increased Creepage) | ||
ADUM4221-2BRIZ | 16-Lead SOIC (Increased Creepage) | ||
ADUM4221-2BRIZ-RL | 16-Lead SOIC (Increased Creepage) | ||
ADUM4221-2CRIZ | 16-Lead SOIC (Increased Creepage) | ||
ADUM4221-2CRIZ-RL | 16-Lead SOIC (Increased Creepage) |
这是最新版本的数据手册
工具及仿真模型
LTspice
LTspice中提供以下器件型号:
- ADUM4221-1A
- ADUM4221-1B
- ADUM4221-1C
- ADUM4221-2A
- ADUM4221-2B
- ADUM4221-2C
- ADUM4221A
- ADUM4221B
- ADUM4221C
IBIS 模型 1
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