ADuM4221-1
推荐新设计使用隔离式半桥栅极驱动器,具备可调的死区时间、单个输入、4 A输出
- 产品模型
- 6
产品详情
- 4 A峰值电流(<2 Ω RDSON_x)
- 逻辑输入电压:2.5 V至6.5 V
- 输出电源电压:4.5 V至35 V
- UVLO VDD1趋正阈值:2.5 V(最大值)
- 用于VDDA和VDDB趋正阈值的多个UVLO选项
- A级:4.5 V(最大值)
- B级:7.5 V(最大值)
- C级:11.6 V(最大值)
- 精密时序特性
- 传输延迟:44 ns(最大值)
- 可调的死区时间和双输入(ADuM4221)
- 可调的死区时间和单输入(ADuM4221-1)
- 无死区时间控制和双输入(ADuM4221-2)
- CMOS输入逻辑电平
- 高共模瞬变抗扰度:150 kV/µs
- 工作结温最高可达:125°C
- 默认低电平输出
- 安全和法规认证(申请中)
- UL认证(UL 1577)
- 5700 V rms持续1分钟
- CSA元件验收通知5A
- VDE合格证书
- DIN V VDE V 0884-11: VIORM = 849 V 峰值
- UL认证(UL 1577)
- 增强爬电距离宽体、16引脚SOIC_IC封装
The ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2 均为4 A隔离式半桥栅极驱动器,采用ADI公司的iCoupler,sup>®
隔离器采用2.5 V至6.5 V逻辑输入电压工作,可与低压系统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比,ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2的输入与各输出之间具有真电气隔离优势。
ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2均内置有重叠保护,且允许进行死区时间调节。死区时间引脚(DT)和GND1引脚之间的单个电阻在高端和低端输出之间的次级侧设置死区时间。
如果ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2上的内部温度超过TSD温度,内部热关断(TSD)将输出设置为低输出。因此,ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2能够可靠地控制广泛正或负开关电压范围下的绝缘栅双极晶体管(IGBT)/金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)配置的开关特性。
应用
- 开关电源
- 隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动器
- 工业逆变器
- 氮化镓(GaN)/碳化硅(SiC)兼容
1受美国专利5,952,849、6,873,065、7,075,239保护。其他专利正在申请中。
参考资料
数据手册 1
用户手册 1
视频 4
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号,脚注和 3D模型 |
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ADUM4221-1ARIZ | 16-Lead SOIC (Increased Creepage) | ||
ADUM4221-1ARIZ-RL | 16-Lead SOIC (Increased Creepage) | ||
ADUM4221-1BRIZ | 16-Lead SOIC (Increased Creepage) | ||
ADUM4221-1BRIZ-RL | 16-Lead SOIC (Increased Creepage) | ||
ADUM4221-1CRIZ | 16-Lead SOIC (Increased Creepage) | ||
ADUM4221-1CRIZ-RL | 16-Lead SOIC (Increased Creepage) |
这是最新版本的数据手册
工具及仿真模型
LTspice
LTspice中提供以下器件型号:
- ADUM4221-1A
- ADUM4221-1B
- ADUM4221-1C
- ADUM4221-2A
- ADUM4221-2B
- ADUM4221-2C
- ADUM4221A
- ADUM4221B
- ADUM4221C
IBIS 模型 1
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