HMC1113
推荐新设计使用GaAs MMIC I/Q下变频器，10 - 16 GHz
- 产品模型
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产品详情
- 转换增益：12 dB
- 镜像抑制：25 dBc
- LO至RF隔离：45 dB
- 噪声系数：1.8 dB
- IP3：1 dBm
- 32引脚5 x 5 mm SMT封装
HMC1113LP5E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器，采用无铅5 x 5 mm低应力注塑塑料表贴封装。 该器件提供12 dB的小信号转换增益、1.8 dB的噪声系数和25 dBc的镜像抑制性能。 HMC1113LP5E采用LNA，后接由LO缓冲器放大器驱动的镜像抑制混频器。 该镜像抑制混频器使得LNA之后无需使用滤波器，并可消除镜像频率下的热噪声。 它具有I/Q混频器输出，所需外部90°混合型器件用于选择所需边带。 HMC1113LP5E为混合型镜像抑制混频器下变频器组件的小型替代器件，它无需线焊，可以使用表贴制造技术。
应用
- 点对点和点对多点无线电
- 军用雷达、EW和ELINT
- 卫星通信
- 海事和移动无线电
参考资料
产品选型指南 1
质量文档 2
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| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| HMC1113LP5E | 32-Lead QFN (5mm x 5mm w/ EP) | ||
| HMC1113LP5ETR | 32-Lead QFN (5mm x 5mm w/ EP) |
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