ADGM1002
新規設計に推奨0 Hz / DC〜20 GHz、SPDTMEMSスイッチ
- 製品モデル
- 3
- 1Ku当たりの価格
- 最低価格:$50.63
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製品の詳細
- ADGM1002:DC~20GHz
- 挿入損失
- 6GHzで0.5dB(代表値)
- 20GHzで0.9dB(代表値)
- IIP3:76dBm(代表値)
- 最大RF電力:30dBm
- オン抵抗:3.4Ω(代表値)
- 最大DC電流:150 mA
- 作動寿命:1億サイクル(最小)
- スイッチ・オン時間(tON):200µs(代表値)
- 3.3Vドライバを内蔵しているため並列制御およびSPI制御が簡素化
- 個別制御可能なスイッチ
- 省スペースの内蔵パッシブ・コンポーネント
- 小型、5.00mm × 4.00mm × 0.90mm、24ピンLGAパッケージ
- 温度範囲:–40°C~+85°C
ADGM1001/ADGM1002/ADGM1003は、アナログ・デバイセズの微小電気機械システム(MEMS)スイッチ技術を使用して製造された、広帯域、単極双投(SP2T)スイッチです。この技術により、フォーム・ファクタが小さく、広RF帯域幅で低挿入損失の、最低0Hz/dcの周波数で動作するスイッチを実現できるため、RF範囲の広い高精度機器におけるスイッチング・ニーズに理想的なソリューションとなっています。デバイスは24ピン、5.00mm × 4.00mm × 0.90mmのランドグリッド(LGA)パッケージを採用しています。
内蔵された制御チップでは、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)/低電圧トランジスタ-トランジスタ・ロジック(LVTTL)互換のパラレル・インターフェースによって、スイッチを静電作動するのに必要な高電圧が生成されます。すべてのスイッチは独立して制御可能です。
多機能ピンの名称は、該当する機能のみで表示されることがあります。
モデル | 帯域幅 | 最大RF電力(dBm) | DC信号範囲(V) | 最大DC電流(mA) |
ADGM1001 | DC~34GHz | 33 | ±6 | 200 |
ADGM1002 | DC~20GHz | 30 | ±5 | 150 |
ADGM1003 | DC~16GHz | 27 | ±3 | 75 |
アプリケーション
- ATE負荷およびプローブ・ボード
- DCおよび高速ループ・バック・テスト
- リレーの代替
- 再構成可能なフィルタおよび減衰器
- 防衛用およびマイクロ波無線
- セルラ・インフラストラクチャ:5Gミリ波
- 各種デジタル規格に対応:PCIe Gen4/Gen5/Gen6、USB 3およびUSB 4、PAM 4
ドキュメント
データシート 2
ユーザ・ガイド 1
ビデオ 1
Analog Dialogue 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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ADGM1002BCCZ | 24-Terminal Land Grid Array [LGA] | ||
ADGM1002BCCZ-R2 | 24-Terminal Land Grid Array [LGA] | ||
ADGM1002BCCZ-RL7 | 24-Terminal Land Grid Array [LGA] |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ハードウェア・エコシステム
製品モデル | 製品ライフサイクル | 詳細 |
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MEMS スイッチ 2 | ||
ADGM1304 | 新規設計に推奨 |
0Hz/DC~14GHz、単極、4投ドライバ内蔵MEMSスイッチ |
ADGM1004 | 新規設計に推奨 | MEMSスイッチ、単極4投、0 Hz/DC ~ 13 GHz、2.5kV HBM ESD耐性、ドライバ内蔵 |
デバイス電源(DPS)およびATEパラメトリック測定ユニット(PMU)用 1 | ||
AD5522 | 製造中 | パラメータ測定ユニット、クワッド、レベル設定用16ビットDAC内蔵 |
正電圧のリニア電圧レギュレータ(LDO) 3 | ||
LT3045-1 | 新規設計に推奨 | 20V、500mA、超低ノイズ、 VIOC制御を備える超高PSRRリニア・レギュレータ |
LT1962 | 新規設計に推奨 | 300mA、低ノイズ、マイクロパワーLDOレギュレータ |
ADP7142 | 新規設計に推奨 | 40V、200mA、低ノイズ、CMOS LDOリニア電圧レギュレータ |