ADGM1001

新規設計に推奨

0 Hz / DC〜34 GHz、SPDTMEMSスイッチ

データシート (Rev. A)

製品セレクション・テーブル

製品モデル: 3
1Ku当たりの価格: 最低価格：$84.06

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製品の詳細

ADGM1001：DC～34GHz
挿入損失
- 18GHzで0.8dB（代表値）
- 34GHzで1.5dB（代表値）
IIP3：76dBm（代表値）
最大RF電力：33dBm
オン抵抗：3.4Ω（代表値）
最大DC電流：200mA
作動寿命：1億サイクル（最小）

スイッチ・オン時間（t_ON）：200µs（代表値）
3.3Vドライバを内蔵しているため並列制御およびSPI制御が簡素化
個別制御可能なスイッチ
省スペースの内蔵パッシブ・コンポーネント
小型、5.00mm × 4.00mm × 0.90mm、24ピンLGAパッケージ
温度範囲：–40°C～+85°C

ADGM1001/ADGM1002/ADGM1003は、アナログ・デバイセズの微小電気機械システム（MEMS）スイッチ技術を使用して製造された、広帯域、単極双投（SP2T）スイッチです。この技術により、フォーム・ファクタが小さく、広RF帯域幅で低挿入損失の、最低0Hz/dcの周波数で動作するスイッチを実現できるため、RF範囲の広い高精度機器におけるスイッチング・ニーズに理想的なソリューションとなっています。デバイスは24ピン、5.00mm × 4.00mm × 0.90mmのランドグリッド（LGA）パッケージを採用しています。

内蔵された制御チップでは、相補型金属酸化膜半導体（CMOS）／低電圧トランジスタ-トランジスタ・ロジック（LVTTL）互換のパラレル・インターフェースによって、スイッチを静電作動するのに必要な高電圧が生成されます。すべてのスイッチは独立して制御可能です。

多機能ピンの名称は、該当する機能のみで表示されることがあります。

ADGM1001/ADGM1002/ADGM1003の主な仕様
モデル	帯域幅	最大RF電力（dBm）	DC信号範囲（V）	最大DC電流（mA）
ADGM1001	DC～34GHz	33	±6	200
ADGM1002	DC～20GHz	30	±5	150
ADGM1003	DC～16GHz	27	±3	75

アプリケーション

ATE負荷およびプローブ・ボード
DCおよび高速ループ・バック・テスト
リレーの代替
再構成可能なフィルタおよび減衰器
防衛用およびマイクロ波無線
セルラ・インフラストラクチャ：5Gミリ波
各種デジタル規格に対応：PCIe Gen4/Gen5/Gen6、USB 3およびUSB 4、PAM 4

製品モデル: 3
1Ku当たりの価格: 最低価格：$84.06

ドキュメント

データシート 2

ADGM1001/ADGM1002/ADGM1003: 0 Hz/DC to 34 GHz, SPDT MEMS Switches Data Sheet (Rev.A) 02/03/2023

ADGM1001/ADGM1002/ADGM1003: 0Hz/DC～34GHzで動作するSPDT MEMSスイッチデータシート 02/03/2023

ユーザ・ガイド 1

UG-2031: Evaluating the ADGM1001 0 Hz/DC to 34 GHz, SPDT, MEMS Switch (Rev.0) 04/13/2022

アナログ・デバイセズは、最高レベルの品質と信頼性を満たす製品を供給することを常に最重要視しています。これを実現するため、製品、プロセス設計、更には製造プロセスに対しあらゆる観点から品質と信頼性のチェックを行っています。アナログ・デバイセズでは出荷製品に対する「ゼロ・ディフェクト」を常に目指しています。詳細については、アナログ・デバイセズの品質および信頼性プログラム、認証のページを参照してください。

製品モデル	ピン／パッケージ図	資料	CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
ADGM1001BCCZ	24-Terminal Land Grid Array [LGA]	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
ADGM1001BCCZ-R2	24-Terminal Land Grid Array [LGA]	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
ADGM1001BCCZ-RL7	24-Terminal Land Grid Array [LGA]	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys

これは最新改訂バージョンのデータシートです。

ハードウェア・エコシステム

製品モデル	製品ライフサイクル	詳細
MEMS スイッチ 2
ADGM1304	新規設計に推奨	0Hz/DC～14GHz、単極、4投ドライバ内蔵MEMSスイッチ
ADGM1004	新規設計に推奨	MEMSスイッチ、単極4投、0 Hz/DC ～ 13 GHz、2.5kV HBM ESD耐性、ドライバ内蔵
デバイス電源（DPS）およびATEパラメトリック測定ユニット（PMU）用 1
AD5522	製造中	パラメータ測定ユニット、クワッド、レベル設定用16ビットDAC内蔵
正電圧のリニア電圧レギュレータ（LDO） 3
LT3045-1	新規設計に推奨	20V、500mA、超低ノイズ、 VIOC制御を備える超高PSRRリニア・レギュレータ

LT1962	新規設計に推奨	300mA、低ノイズ、マイクロパワーLDOレギュレータ
ADP7142	新規設計に推奨	40V、200mA、低ノイズ、CMOS LDOリニア電圧レギュレータ

ツールおよびシミュレーション

LTspice 1

ADGM1001 - Switches and Multiplexers

下記製品はLTspiceで使用することが出来ます。:

ADGM1001

Sパラメータ 1

ADGM1001 s-parameter

LTspice^®は、無料で提供される強力で高速な回路シミュレータと回路図入力、波形ビューワに改善を加え、アナログ回路のシミュレーションを容易にするためのモデルを搭載しています。

評価用キット

0Hz/DC～34GHz、SPDTのMEMSスイッチADGM1001の評価

今すぐ購入詳細を表示

機能と利点

単電源電圧：3.3 V
広い周波数範囲：DC～34GHz
RF信号用SMAコネクタ
パラレル・インターフェースとSPI
アナライザ・キャリブレーション用のオンボードCALIBRATION THRU伝送ライン

製品詳細

ユーザ・ガイドでは、単極双投（SPDT）、微小電気機械システム（MEMS）スイッチおよび制御チップが5.00mm × 4.00mm × 0.90mmの小型LGAパッケージに収められたデュアル・チップのRFスイッチング・ソリューションであるADGM1001のための、EVAL-ADGM1001SDZ評価用ボードについて説明しています。

SPDTスイッチは、アナログ・デバイセズのMEMSスイッチ技術を使用しており、RFアプリケーションの帯域幅、電力処理能力、および直線性の点で最適なパフォーマンスを提供します。制御チップは、MEMSスイッチに必要な高電圧信号を生成し、ユーザはシンプルで柔軟な相補型金属酸化膜半導体（CMOS）／低電圧トランジスタ-トランジスタ・ロジック（LVTTL）準拠の並列インターフェースやシリアル・ペリフェラル・インターフェース（SPI）を介してその動作を制御できます。複数のADGM1001デバイスをデイジーチェーン接続して、最小限のデジタル回線数で複数のデバイスを構成できるようにすることができます。

SPIの場合、EVAL-ADGM1001SDZはSDPボードを介してPCのUSBポートに接続します。EVAL-SDP-CB1Zボード（SDP-Bコントローラーボード）は、アナログ・デバイセズのWebサイトwww.analog.com/SDP-Bから注文できます。

EVAL-ADGM1001SDZには、RF信号と制御信号用のコネクタ、およびスイッチの動作を制御してその性能を評価するためのリンクが付属しています。

ADGM1001の詳細については、ADGM1001データシートを参照してください。EVAL-ADGM1001SDZ評価ボードを使用する場合は、ユーザ・ガイドと併せて参照してください。

資料

UG-2031: Evaluating the ADGM1001 0 Hz/DC to 34 GHz, SPDT, MEMS Switch (Rev.0)
1.38 M