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REF191
量产2.048V、精密、微功耗、低压差、低压基准电压源
- 产品模型
- 6
产品详情
- 初始精度：±2 mV（最大值）
- 温度系数：5 ppm/°C（最大值）
- 低电源电流：45 µA（最大值）
- 休眠模式：15 µA（最大值）
- 低压差
- 负载调整率：4 ppm/mA
- 电压调整率：4 ppm/V
- 高输出电流：30 mA
- 短路保护
- 下载REF191-EP数据手册(pdf)
- 支持防务和航空航天应用（AQEC标准）
- 军用温度范围（−55℃至+125℃）
- 受控制造基线
- 封装/测试厂
- 制造厂
- 产品变更通知
- 认证数据可应要求提供
REF19x系列精密带隙基准电压源采用温度漂移曲率校正专利电路，并对高稳定性薄膜电阻进行激光调整，从而实现极低的温度系数和高初始精度。
该系列由微功耗、低压差(LDV)器件组成，可利用仅比输出电压高出100 mV的电源提供稳定的输出电压，耗用的电源电流低于45 μA。通过对SLEEP引脚施加低TTL或CMOS电平，可以使能休眠模式。在休眠模式下，输出关闭，电源电流进一步降至15 μA以下。
REF19x系列基准电压源的额定温度范围为−40°C至+85°C工业温度范围，典型性能规格的温度范围为−40°C至+125°C，适合汽车等应用领域。
电气级产品均提供8引脚SOIC封装；仅最低电气级产品提供PDIP和TSSOP封装。
应用
数据手册, Rev. J, 3/08
参考资料
数据手册 3
应用笔记 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| REF191ESZ | 8-Lead SOIC | ||
| REF191ESZ-REEL | 8-Lead SOIC | ||
| REF191GSZ | 8-Lead SOIC | ||
| REF191GSZ-REEL | 8-Lead SOIC | ||
| REF191TRZ-EP | 8-Lead SOIC | ||
| REF191TRZ-EP-RL | 8-Lead SOIC |
| 产品型号 | 产品生命周期 | PCN |
|---|---|---|
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11月 23, 2010 - 10_0004 Halogen Free Material Change for SOIC Narrow Body Products Assembled at Amkor |
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| REF191ESZ | 量产 | |
| REF191ESZ-REEL | 量产 | |
| REF191GSZ | 量产 | |
| REF191GSZ-REEL | 量产 | |
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8月 6, 2010 - 10_0187 REF19x Die Coat Change on SOIC models |
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| REF191ESZ | 量产 | |
| REF191ESZ-REEL | 量产 | |
| REF191GSZ | 量产 | |
| REF191GSZ-REEL | 量产 | |
这是最新版本的数据手册