
HMC787A
推荐新设计使用GaAs MMIC基波混频器,3 - 11 GHz
- 产品模型
- 5
产品详情
下变频器
- 变频损耗
- 8 dB(典型值,3 GHz至7 GHz)
- 10 dB(典型值,7 GHz至10 GHz)
- LO至IF隔离
- 44 dB(典型值,3 GHz至7 GHz)
- 42 dB(典型值,7 GHz至10 GHz)
- RF至IF隔离
- 21 dB(典型值,3 GHz至7 GHz)
- 32 dB(典型值,7 GHz至10 GHz)
- 输入IP3
- 22 dBm(典型值,3 GHz至7 GHz)
- 28 dBm(典型值,7 GHz至10 GHz)
- 输入P1dB
- 15 dBm(典型值,3 GHz至7 GHz)
- 17 dBm(典型值,7 GHz至10 GHz)
- 无源双平衡拓扑结构
- 宽IF频率范围:DC至4 GHz
- 6焊盘、裸片[芯片]
HMC787ALC3B
HMC787A是一款通用型双平衡混频器,采用符合RoHS标准的12引脚陶瓷无铅芯片载体(LCC)封装,可用作3 GHz至10 GHz范围内的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造,无需外部元件或匹配电路。HMC787A通过优化的巴伦结构提供出色的本振(LO)至射频(RF)及LO至中频(IF)隔离性能,采用17 dBm的LO驱动电平工作。陶瓷LCC封装无需线焊,与高容量表贴制造技术兼容。
HMC787AG(芯片)
HMC787AG是一款通用型双平衡混频器,可用作3 GHz至10 GHz频率范围的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造,无需外部元件或匹配电路。
HMC787AG通过优化的巴伦结构提供高本振(LO)至RF及LO至中频(IF)隔离性能,采用13 dBm至21 dBm的LO驱动电平工作。
应用
- 微波无线电
- 工业、科研和医疗(ISM)频段和超宽频段(UWB)无线电
- 测试设备和传感器
- 军用最终用途
参考资料
数据手册 2
产品选型指南 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号,脚注和 3D模型 |
---|---|---|---|
HMC787AG | CHIPS OR DIE | ||
HMC787AG-SX | CHIPS OR DIE | ||
HMC787ALC3B | 12-Lead LCC (2.9mm x 2.9mm w/ EP) | ||
HMC787ALC3BTR | 12-Lead LCC (2.9mm x 2.9mm w/ EP) | ||
HMC787ALC3BTR-R5 | 12-Lead LCC (2.9mm x 2.9mm w/ EP) |
这是最新版本的数据手册
工具及仿真模型
S-参数 1
ADIsimRF
ADIsimRF是一款简单易用的RF信号链计算工具。可以计算和导出多达50级的信号链级联增益、噪声、失真和功耗并绘制其曲线。ADIsimRF还包括丰富的ADI射频和混合信号元件的器件模型数据库。
打开工具评估套件
最新评论
需要发起讨论吗? 没有关于 hmc787a的相关讨论?是否需要发起讨论?
在EngineerZone®上发起讨论