HMC6505A
推荐新设计使用5.5 GHz 到 8.6 GHz，GaAs，MMIC，I/Q 升频器
- 产品模型
- 3
产品详情
- 转换增益：15 dB（典型值）
- 边带抑制：22 dBc（典型值）
- 增益最大时的输出 P1dB 压缩：22 dBm（典型值）
- 增益最大时的输出 IP3：35 dBm（典型值）
- LO 到 RF 隔离：4 dB（典型值）
- LO 到 IF 隔离：9 dB（典型值）
- RF 回波损耗：20 dB（典型值）
- LO 回波损耗：10 dB（典型值）
- IF 回波损耗：20 dB（典型值）
- 裸焊盘，5 mm × 5 mm，32 端子，无引线芯片载体封装
HMC6505A 是一款采用兼容 RoHS 的封装的紧凑型砷化镓 (GaAs)、赝晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT)、微波单片集成电路 (MMIC) 升频器，工作频率范围为 5.5 GHz 至 8.6 GHz。此器件提供 15 dB 的小信号转换增益，以及 22 dBc 的边带抑制。HMC6505A 在可变增益放大器 (VGA) 之前使用同相和正交 (I/Q) 混频器，该混频器由主动本地振荡器 (LO) 驱动。提供 IF1 和 IF2 混频器输入，并需要采用外部 90° 混合模式选择所需的边带。I/Q 混频器拓扑结构减少了对不必要的边带进行过滤的需要。HMC6505A 是混合式单边带 (SSB) 升频器组件的小型替代方案，它可以使用表面安装制造技术，这消除了对引线键合的需要。
HMC6505A 提供 5 mm × 5 mm、32 端子无引线芯片载体 (LCC) 封装，可在 −40°C 至 +85°C 的温度范围内工作。HMC6505A 的评估板还可按需提供。
应用
- 点到点和单点对多点无线电
- 军用雷达、电子战 (EW) 和电子智能 (ELINT)
- 卫星通信
- 传感器
参考资料
产品选型指南 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| HMC6505ALC5 | 32-Lead LCC (4.9mm x 4.9mm) | ||
| HMC6505ALC5TR | 32-Lead LCC (4.9mm x 4.9mm) | ||
| HMC6505ALC5TR-R5 | 32-Lead LCC (4.9mm x 4.9mm) |
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