HMC536MS8G
量产3 Watt SPDT T/R 交换芯片 SMT，DC - 6 GHz
- 产品模型
- 4
产品详情
- 输入P0.1dB：+34 dBm (+5V)
- 插入损耗：0.5 dB
- 正控制电压：+3V或+5V
- MS8G SMT 封装，14.8 mm²
- 隔离度：27 dB
- 较快的开关速度
- 包含在 HMC-DK005 设计人员套件中
HMC536MS8G & HMC536MS8GE 是 DC - 6 GHz、GaAs、MMIC、T/R 交换芯片，采用 8 引脚 MSOP8G 表面贴装封装，带有裸露的接地焊盘。该交换芯片非常适合蜂窝 PCS/3G 基站应用，具有 0.5 dB 的低插入损耗和 +55 dBm 的输入IP3 。该交换芯片在 6 GHz 的频率下具有出色的功率处理能力，具体为开关在 +3 V 控制下提供 +29 dBm 的 P0.1dB 压缩点。片内电路允许在极低的直流电流下将正电压控制在 0/+ 3 V 或 0/+ 5V。
应用
- 蜂窝/3G 基础设施
- ISM/MMDS/WiMAX
- CATV/CMTS
- 测试仪器仪表
参考资料
质量文档 4
产品选型指南 1
磁带和卷轴规格 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| HMC536MS8G | 8-Lead MSOP w/ EP | ||
| HMC536MS8GE | 8-Lead MSOP w/ EP | ||
| HMC536MS8GETR | 8-Lead MSOP w/ EP | ||
| HMC536MS8GTR | 8-Lead MSOP w/ EP |
| 产品型号 | 产品生命周期 | PCN |
|---|---|---|
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5月 6, 2019 - 19_0063 Assembly Site Transfer of Select MSOP and SOIC_N E-pad Devices to Carsem Malaysia |
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| HMC536MS8G | 量产 | |
| HMC536MS8GE | 量产 | |
| HMC536MS8GETR | 量产 | |
| HMC536MS8GTR | 量产 | |
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8月 28, 2019 - 19_0204 Moisture Sensitivity Level Rating Change for Select Packaged Products |
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| HMC536MS8GE | 量产 | |
| HMC536MS8GETR | 量产 | |
这是最新版本的数据手册
硬件生态系统
| 部分模型 | 产品周期 | 描述 |
|---|---|---|
| HMC8038 | 推荐新设计使用 | 高隔离度、硅SPDT、非反射开关，0.1 GHz至6.0 GHz |
工具及仿真模型
S-参数 1
ADIsimRF
ADIsimRF是一款简单易用的RF信号链计算工具。可以计算和导出多达50级的信号链级联增益、噪声、失真和功耗并绘制其曲线。ADIsimRF还包括丰富的ADI射频和混合信号元件的器件模型数据库。
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