HMC435A
HMC435A
推荐新设计使用
SPDT非反射式开关,DC - 4 GHz
- 产品模型
- 2
Viewing:
产品详情
- 高隔离度:
62 dB(1 GHz时)
52 dB(2 GHz时) - 正控制: 0/+5V
- 输入IP3: 54 dBm
- 非反射式设计
- 超小型MSOP-86封装:
- 14.8 mm2
HMC435AMS8G(E)是一款非反射式DC-4 GHz GaAs MESFET SPDT开关,采用低成本8引脚MSOP8G表面贴装封装,带有裸露接地焊盘。 该开关非常适合蜂窝/3G和WiMAX/4G应用,实现高达60 dB的隔离、0.8 dB的低插入损耗和+50 dBm的输入IP3。 在3.8 GHz WiMAX频段,该开关具有很高的功率处理能力,另外提供+30 dBm的P1dB压缩性能。 片内电路可在很低的DC电流下实现0/+5伏特的正电压控制。
应用
- 基站和中继器
- 蜂窝/3G和WiMAX/4G
- 基础设施和接入点
- CATV/CMTS
- 测试仪器仪表
参考资料
质量文档 1
产品选型指南 1
磁带和卷轴规格 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号,脚注和 3D模型 |
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HMC435AMS8GE | 8-Lead MSOP w/ EP | ||
HMC435AMS8GETR | 8-Lead MSOP w/ EP |
产品型号 | 产品生命周期 | PCN |
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5月 6, 2019 - 19_0063 Assembly Site Transfer of Select MSOP and SOIC_N E-pad Devices to Carsem Malaysia |
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HMC435AMS8GE | 量产 | |
HMC435AMS8GETR | 量产 | |
4月 23, 2018 - 18_0055 Moisture Sensitivity Level Rating Change for Select Packaged Products |
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HMC435AMS8GE | 量产 | |
HMC435AMS8GETR | 量产 |
这是最新版本的数据手册
硬件生态系统
部分模型 | 产品周期 | 描述 |
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HMC8038 | 推荐新设计使用 | 高隔离度、硅SPDT、非反射开关,0.1 GHz至6.0 GHz |
工具及仿真模型
S-参数 1
ADIsimRF
ADIsimRF是一款简单易用的RF信号链计算工具。可以计算和导出多达50级的信号链级联增益、噪声、失真和功耗并绘制其曲线。ADIsimRF还包括丰富的ADI射频和混合信号元件的器件模型数据库。
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