HMC258
过期HMC258 / HMC258LC3B
HMC258： 次谐波混频器芯片，14 GHz至21 GHz
HMC258LC3B： 次谐波混频器表面贴装技术(SMT)，14.5 GHz至19.5 GHz
HMC258LM3： 次谐波混频器，采用SMT封装，14 GHz至20 GHz- 产品模型
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产品详情
- 集成本振(LO)放大器： 0 dBm驱动(HMC258)
- 集成LO放大器： 0 dBm输入（HMC258LC3B和HMC258LM3）
- 次谐波(×2) LO
- 高2LO至RF隔离
HMC258: 40 dB
HMC258LC2B: >45 dB
HMC258LM3: >40 dB
- 芯片尺寸(HMC258)： 0.85 mm × 1.15 mm × 0.1 mm
- 无需外部匹配(HMC258LC3B)
- 符合RoHS标准的3 mm × 3 mm陶瓷SMT封装(HMC258LC3B)
- LM3 SMT封装(HMC258LM3)
HMC258器件属于次谐波(×2)单端单芯片微波集成电路(MMIC)混频器，其集成的LO放大器可用作上变频器或下变频器。 HMC258器件提供芯片(HMC258)、SMT无引脚陶瓷封装(HMC258LC3B)和SMT无引脚芯片载体封装(HMC258LM3)。 HMC258采用GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)技术制造而成，整体芯片面积小至0.9 mm2。 2LO至RF隔离性能出色，无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置（5 V）双级设计，仅需0 dBm的驱动。
HMC258芯片的低LO驱动和次谐波特性可以实现要求较低的振荡器设计。 所有数据均存储在位于50 Ω测试夹具中的芯片上，通过最短不足0.31 mm (<12 mils)的0.025 mm (1 mils)直径线焊连接。 HMC258LC3B无需外部匹配元件，适用于集成式子系统应用。 所有HMC258LM3数据均通过安装在50 Ω测试夹具中的非密封型、环氧树脂密封LM3封装器件获取。 采用HMC258LC3B或HMC258LM3即无需线焊，从而为客户提供一致的接口。
应用
- 微波点对点无线电
- 甚小孔径终端(VSAT)
- 卫星通信(SATCOM)
- 测试与测量设备
- 军事和空间
- 14 GHz和20 GHz微波无线电(HMC258LM3)
参考资料
数据手册 2
停产数据手册 1
质量文档 4
磁带和卷轴规格 2
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| HMC258 | CHIPS OR DIE | ||
| HMC258LC3B | 12-Lead LCC (3mm x 3mm w/ EP) | ||
| HMC258LC3BTR | 12-Lead LCC (3mm x 3mm w/ EP) | ||
| HMC258LC3BTR-R5 | 12-Lead LCC (3mm x 3mm w/ EP) | ||
| HMC258LM3 | LGA/CASON/CH ARRY SO NO LD | ||
| HMC258LM3TR | LGA/CASON/CH ARRY SO NO LD |
| 产品型号 | 产品生命周期 | PCN |
|---|---|---|
|
5月 24, 2017 - 17_0100 Change in Moisture Sensitivity Level for LM1 and LM3 Packages |
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| HMC258LM3 | 过期 | |
| HMC258LM3TR | 过期 | |
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12月 14, 2015 - 15_0026 Discontinuance of Select Hittite Microwave Products (HMC) from Analog Devices |
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| HMC258 | 过期 | |
| HMC258LC3B | 过期 | |
| HMC258LC3BTR | 过期 | |
| HMC258LM3 | 过期 | |
| HMC258LM3TR | 过期 | |
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