HMC219B
推荐新设计使用2.5 GHz至7.0 GHz GaAs、MMIC基波混频器
- 产品模型
- 2
产品详情
- 转换损耗：9 dB（典型值）
- LO至RF隔离：40 dB（典型值）
- LO至IF隔离：35 dB（典型值）
- RF至IF隔离：22 dB（典型值）
- 输入IP3：18 dBm（典型值）
- 输入P1dB：11 dBm（典型值）
- 输入IP2：55 dBm（典型值）
- 无源双平衡拓扑结构
- 8引脚、3 mm × 3 mm、MINI_SO_EP封装
HMC219B是一款超小型通用双平衡混频器，采用8引脚超小型塑料表贴封装，带裸露焊盘(MINI_SO_EP)。该无源单芯片微波集成电路(MMIC)混频器采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造，无需外部元件或匹配电路。该器件可用作频率范围为2.5 GHz至7.0 GHz的上变频器、下变频器、双相调制器或相位比较器。
HMC219B采用经过优化的巴伦结构，提供出色的本振(LO)至射频(RF)隔离及LO至中频(IF)隔离性能。符合RoHS标准的HMC219B无需线焊，与高容量表贴制造技术兼容。MMIC性能稳定可提高系统工作效率并确保符合HiperLAN、U-NII和ISM法规要求。
应用
- 微波无线电
- 高性能无线电局域网(HiperLAN)和免执照国家信息基础设施(U-NII)
- 工业、科研和医疗(ISM)
参考资料
产品选型指南 1
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| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| HMC219BMS8GE | 8-Lead MSOP (3mm x 3mm w/ EP) | ||
| HMC219BMS8GETR | 8-Lead MSOP (3mm x 3mm w/ EP) |
| 产品型号 | 产品生命周期 | PCN |
|---|---|---|
|
5月 6, 2019 - 19_0063 Assembly Site Transfer of Select MSOP and SOIC_N E-pad Devices to Carsem Malaysia |
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| HMC219BMS8GE | 量产 | |
| HMC219BMS8GETR | 量产 | |
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