DS2045L
3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM
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产品详情
- 单芯片、可回流焊接的27mm x 27mm BGA封装
- 内置ML电池和充电器
- VCC超出容限范围后,对SRAM进行无条件的写保护
- VCC电源失效后,自动切换到电池供电
- 内部电源监控电路,检查电源是否低于标称VCC (3.3V)
- 复位输出可用于CPU监控
- 工业级温度范围(-40°C至+85°C)
DS2045L是1Mb、可进行回流焊接的非易失(NV) SRAM,由静态RAM (SRAM)、NV控制器和内部可充电锂锰(ML)电池构成。这些元件封装在表贴模块内,采用256焊球BGA封装。模块的VCC上电后,ML电池开始充电,SRAM由外部电源供电,可以修改SRAM内容。VCC断电或超出容限范围时,控制器对SRAM的内容进行写保护,并由电池对SRAM供电。DS2045L还带有电源监测输出、/RST指示,复位输出可用于CPU监控功能。
应用
- 数据采集系统
- 烟雾报警器
- 游戏机
- 工业控制器
- PLC
- POS终端
- RAID系统和服务器
- 路由器/交换机
参考资料
这是最新版本的数据手册
硬件生态系统
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