DS2030W
3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM
Viewing:
产品详情
- 单片,可回流焊,27mm x 27mm BGA封装
- 内部ML电池和充电器
- VCC超出容限后,对SRAM无条件写保护
- VCC电源失效后,自动切换到电池供电
- 内部电源监控,检测电源是否低于标称VCC (3.3V)
- 复位输出可用作微处理器的CPU监视器
- 工业级温度范围(-40°C至+85°C)
DS2030W是256kb, 可回流焊的非易失(NV) SRAM,由一个静态RAM (SRAM),一个NV控制器和一个内部可充电锰锂(ML)电池构成。这些元件封装在表贴模块中,采用256焊球BGA封装。模块VCC上电后,ML电池开始充电,SRAM由外部电源供电,SRAM内容可修改。VCC断电或超出容限时,控制器对SRAM的内容进行写保护,并由电池对SRAM供电。DS2030W还有一个电源监控输出,/RST,可用于微处理器的CPU监视器。
应用
- 数据采集系统
- 烟雾报警器
- 游戏机
- 工业控制器
- PLC
- POS终端
- RAID系统和服务器
- 路由器/交换机
参考资料
这是最新版本的数据手册
最新评论
需要发起讨论吗? 没有关于 ds2030w的相关讨论?是否需要发起讨论?
在EngineerZone®上发起讨论