DS2030L
3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM
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产品详情
- 单片、可回流焊、27mm x 27mm BGA封装
- 内置锂锰电池和充电器
- VCC超出容限后,无条件地对SRAM加以写保护
- VCC电源失效时,自动切换至电池供电
- 内部电源监视器探测低于正常VCC (3.3V)的电源失效
- 复位输出可用作微处理器的CPU监控器
- 工业级温度范围(-40°C至+85°C)
DS2030L是一款256kb、兼容回流焊工艺的非易失(NV) SRAM,由一个静态RAM (SRAM),一个NV控制器和一个内部可充电锂锰电池(ML)构成。这些元件封装在一个256球BGA表面贴模块中。当VCC加在模块上时,它即对ML电池充电,SRAM也由外部电源来供电,同时允许修改SRAM的内容。当VCC掉电或超出容限时,控制器对SRAM的内容写保护,同时改由电池对SRAM供电。DS2030L还含有一个电源监视输出,/RST,可用作微处理器的CPU监控器。
应用
- 数据采集系统
- 烟雾报警器
- 游戏机
- 工业控制器
- PLC
- POS终端
- RAID系统和服务器
- 路由器/交换机
参考资料
这是最新版本的数据手册
硬件生态系统
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