AD567
不推荐用于新设计12位电流输出、微处理器兼容型DAC
- 产品模型
- 5
产品详情
- 单芯片结构
- 双缓冲锁存器支持兼容8位微处理器
- 快速建立时间：500 ns（最大值，至±1/2 LSB）
- 片内集成高稳定性嵌入式齐纳基准电压源
- 整个温度范围内保证单调性
- 整个温度范围内保证线性度：1/2 LSB（最大值，AD567K）
- 保证工作电压：±12 V或±15 V
- 欲了解更多信息，请参考数据手册
AD567是一款完整的高速12位单芯片数模转换器，内置一个高稳定性嵌入式齐纳基准电压源和一个双缓冲输入锁存器。该转换器采用12个精密、高速、双极性电流导引开关和一个经激光调整的薄膜电阻网络，可提供快速建立时间和高精度特性。
微处理器兼容性通过片内双缓冲锁存器实现。输入锁存器能够与4位、8位、12位或16位总线直接接口。因此，第一级锁存器的12位数据可以传输至第二级锁存器，避免产生杂散模拟输出值。锁存器可以响应100 ns的短选通脉冲，因而可以与现有较快的微处理器配合使用。
AD567拥有如此全面的功能与高性能，是采用先进的开关设计、高速双极性制造工艺和成熟的激光晶圆调整技术(LWT)的结果。该器件在晶圆阶段进行调整，25°C时最大线性误差为±1/4 LSB（K级），整个工作温度范围内的线性误差为±1/2 LSB。
芯片的表面下（嵌入式）齐纳二极管提供一个低噪声基准电压源，其长期稳定性和温度漂移特性堪比优质的分立式基准电压二极管。激光调整工艺可提供出色的线性度，同时也用于调整基准电压源的绝对值及其温度系数。因此，AD567具有宽温度范围性能，最大线性误差为±1/2 LSB，并且可以在整个温度范围内保证单调性。满量程增益温度系数典型值为10 ppm/°C。
AD567按性能分为三个等级。AD567J和AD567K的额定工作温度范围为0°C至+70°C，采用28引脚密封陶瓷DIP或28引脚注塑DIP封装（N封装）。AD567S的额定温度范围为-55°C至+125°C，采用陶瓷封装。
数据手册，Rev. A，1/83
参考资料
数据手册 2
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| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| 5962-8780101XA | 28-Lead CerDIP (Side Brazed) | ||
| AD567JD | 28-Lead CerDIP (Side Brazed) | ||
| AD567KD | 28-Lead CerDIP (Side Brazed) | ||
| AD567SD | 28-Lead CerDIP (Side Brazed) | ||
| AD567SD/883B | 28-Lead CerDIP (Side Brazed) |
| 产品型号 | 产品生命周期 | PCN |
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4月 9, 2018 - 16_0026 Qualify TeamQuest Technology, Inc. for Burn-in and Life Test of Military and Aerospace Devices |
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| 5962-8780101XA | ||
| AD567SD/883B | ||
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6月 6, 2012 - 12_0066 Add capacity for Burn In of Hermetic, 883 & QMLQ/Class B devices at TSSI Cavite |
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| 5962-8780101XA | ||
| AD567JD | 量产 | |
| AD567KD | 量产 | |
| AD567SD | 量产 | |
| AD567SD/883B | ||
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11月 9, 2011 - 11_0050 Transfer of ADI Hermetics Assembly location from Paranaque, Manila to General Trias, Cavite Philippines |
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| 5962-8780101XA | ||
| AD567JD | 量产 | |
| AD567KD | 量产 | |
| AD567SD | 量产 | |
| AD567SD/883B | ||
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11月 9, 2011 - 11_0182 Test Site Transfer from Analog Devices Philippines Inc in Paranaque to Analog Devices General Trias in Cavite, Philippines |
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| 5962-8780101XA | ||
| AD567JD | 量产 | |
| AD567KD | 量产 | |
| AD567SD | 量产 | |
| AD567SD/883B | ||
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3月 13, 2008 - 07_0092 Wilmington Bipolar Process Change From 100mm to 150mm Wafer Diameter |
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| 5962-8780101XA | ||
| AD567SD/883B | ||
这是最新版本的数据手册
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