HMC7912
推荐新设计使用
GaAs MMIC I/Q上变频器21 GHz至24 GHz
- 产品模型
- 2
产品详情
- 转换增益：15 dB（典型值）
- 边带抑制：22 dBc（典型值）
- 针对1 dB压缩(P1dB)的输入功率：4 dBm（典型值）
- 输出三阶交调截点(OIP3)：33 dBm（典型值）
- RFOUT上2倍本振(LO)泄漏：5 dBm（典型值）
- 中频(IF)输入端2倍LO泄漏：-35 dBm（典型值）
- RF回波损耗：15 dB（典型值）
- LO回波损耗：15 dB（典型值）
- 32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP封装
HMC7912LP5E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q上变频器，采用符合RoHS标准的低应力注射成型塑料SMT封装。 该器件提供14 dB的小信号转换增益和18 dBc的边带抑制性能。 HMC7912LP5E采用RF放大器工作，前接由驱动放大器驱动LO的I/Q混频器。 还提供IF1和IF2混频器输入，需通过外部90°混合选择所需的边带。 I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带滤波要求。 HMC7912LP5E为混合型单边带上变频器的小型替代器件，它无需线焊，可以使用表贴制造技术。
应用
- 点对点和点对多点无线电
- 军用雷达、EW和ELINT
- 卫星通信
- 传感器
参考资料
产品选型指南 1
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| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| HMC7912LP5E | 32-Lead QFN (5mm x 5mm w/ EP) | ||
| HMC7912LP5ETR | 32-Lead QFN (5mm x 5mm w/ EP) |
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S-参数 1
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