ADRF5160
ADRF5160
推荐用于新设计0.7 GHz 至 4.0 GHz 高功率 88 W 峰值硅 SPDT 反射开关
- 产品模型
- 2
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产品详情
- 反射式 50 Ω 设计
- 低插入损耗：0.7 dB（典型值）至 2.0 GHz
- TCASE = 105°C 下具有高功率处理能力
- 长期（>10 年）平均值
- 连续波功率：43 dBm
- 峰值功率：49 dBm
- LTE 平均功率 (8 dB PAR)：41 dBm
- 单一事件（<10 秒）平均值
- LTE 平均功率 (8 dB PAR)：44 dBm
- 长期（>10 年）平均值
- 高线性度
- P0.1dB：47 dBm（典型值）
- IP3：70 dBm（典型值）
- ESD 额定值
- HBM：4 kV（3A 级）
- CDM：1.25 kV
- 单一正电源：5 V
- 正控制，CMOS/TTL 兼容
- 32 引脚 5 mm × 5 mm LFCSP 封装
ADRF5160 是一款硅基高功率 0.7 GHz 到 4.0 GHz 硅单刀双掷 (SPDT) 反射开关，采用无引线的表面安装式封装。此开关适用于高功率和蜂窝基础设施应用，例如长期演进 (LTE) 基站。ADRF5160 具有 41 dBm 的高功率处理能力（长期（>10 年）典型平均值 8 dB PAR LTE）、0.7 dB（典型值）至 2.0 GHz 的低插入损耗、70 dBm 的输入 3 阶交调点 (IP3)（典型值）和 47 dBm 的 0.1 dB 压缩点 (P0.1dB)。片内电路使用 5 V 的单一正电源工作，典型电源电流为 1.1 mA，使得 ADRF5160 成为基于 Pin 二极管的开关的理想替代方案。
ADRF5160 采用符合 RoHS 指令的紧凑式 32 引脚 5 mm × 5 mm LFCSP 封装。
应用
- 无线基础设施
- 军事和高可靠性应用
- 测试设备
- Pin 二极管替代方案
参考资料
数据手册 1
应用笔记 1
设计笔记 1
产品选型指南 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| ADRF5160BCPZ | 32-Lead QFN (5mm x 5mm w/ EP) | ||
| ADRF5160BCPZ-R7 | 32-Lead QFN (5mm x 5mm w/ EP) |
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