Reference Design of a 1-Wire® Bidirectional Voltage-Level Translator for 1.8V to 5V

2023年02月21日
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説明

はじめに

FPGA、マイクロプロセッサ、DS2482-100、およびDS2480Bなどのデバイスは、1-Wireマスターデバイスの例です。1-Wire/iButton®スレーブデバイスはマキシムによって製造され、一般的に2.8Vから5.25Vまで動作する広範囲な製品ファミリから成ります。1-Wireマスターとスレーブデバイスは以前から伝統的な5Vオープンドレインロジックでした。今日、設計者は1-WireマスターIOを1.8Vで動作させるためにオープンドレインロジックを必要とします。ほとんどの1-Wireスレーブデバイスが5Vで問題なく動作できる一方で、それらのほとんどのデバイスは1.8Vで動作することができません。双方向電圧レベル変換回路は、この制限を克服するために必要とされます。このRD (リファレンスデザイン)ではMaxim®のMAX3394Eを特徴とし、これらのアプリケーションのための双方向電圧レベル変換器です。

電圧レベル変換器

MAX3394Eは、3mm x 3mmの8ピンTDFNパッケージで利用できるデュアルレベル変換器です。その内蔵スルーレート強化回路の効果によって、高容量性負荷の駆動に理想的です。1-Wireスレーブデバイスはしばしば、500pFを超える容量性負荷となることがあります。MAX3394EのVCC I/Oピンは±15kVのHBM (ヒューマンボディモデル)まで保護されており1-Wireマスターを保護します。1-Wireバスアーキテクチャはしばしば外界とインタフェイス接続されるため、HBMが不可欠です。しかし、オプションの抵抗値が低いプルアップ抵抗(R3)、そして1-WireスレーブデバイスのESD保護としてDS9503Pを追加することが推奨されます。

アプリケーション回路

図1の回路は、オープンドレインシステムで1.8V~5Vの双方向電圧レベル変換を実行するのに用いられるMAX3394Eを示しています。

図1. 1.8V~5Vへの1-Wire双方向電圧レベル変換の回路図。I/O VLピンとI/O VCCピンが約10kΩの内部プルアップを持つことに注意してください。

図1. 1.8V~5Vへの1-Wire双方向電圧レベル変換の回路図。I/O VLピンとI/O VCCピンが約10kΩの内部プルアップを持つことに注意してください。

このリファレンスデザインのためのBOM (部品表)を、表1に示します。

表1. 部品表
Item Quantity Reference Part Manufacturer Part Number
1 1 C1 1.0µF 0402 Panasonic ECJ-0EB0J105M
2 2 C2, C3 0.1µF 0201 Panasonic ECJ-ZEB0J104K
3 1 Q1 BSS84-7-F Diodes, Inc/Zetex BSS84-7-F
4 1 R1 33Ω 0201 Panasonic ERJ-1GEJ330C
5 1 R2 10kΩ 0402 Panasonic ERJ-2RKF1002X
6 1 R3 10kΩ 0402 Panasonic ERJ-2RKF1001X
7 1 R4 2.2kΩ 0402 Panasonic ERJ-2RKF2201X
8 2 CH1, CH2 TEST POINT N/A N/A
9 1 U1 MAX3394E Maxim MAX3394EETA+

計測波形/試験結果

図2~5の試験結果は、回路の評価基板より得られました。 セットアップ:

  • VL = 1.8V
  • VCC = 5.0V
  • CH1:1-Wireマスター(OW_MASTER)
  • CH2:DS1920 (OW_SLAVE)
  • OW_SLAVEワイヤ長:2.4m (max)
  • 試験結果は、図1のオプションの強いプルアップ回路を含みませんでした。
  • 室温測定のみ

図2. 1-Wireリセットのスコーププロットは、プレゼンスパルス振幅はわずか250mVしかなく、0.4Vの一般的な1-WireマスターVILの最大値より低いMAX3394Eのパフォーマンスを示します。

図2. 1-Wireリセットのスコーププロットは、プレゼンスパルス振幅はわずか250mVしかなく、0.4Vの一般的な1-WireマスターVILの最大値より低いMAX3394Eのパフォーマンスを示します。

図3. 1-Wire書き込みのスコーププロット、1タイムスロットがクリーンtLOW1 < 15µsとなっています。

図3. 1-Wire書き込みのスコーププロット、1タイムスロットがクリーンtLOW1 < 15µsとなっています。

図4. 1-Wire書き込みのスコープスロット、0タイムスロットが60µs < tLOW0 < 120µsとなっています。

図4. 1-Wire書き込みのスコープスロット、0タイムスロットが60µs < tLOW0 < 120µsとなっています。

図5. 1-Wire読み込みのスコープスロット、アクティブな1-Wireスレーブオープンドレインリターンおよび0.4Vの一般的な1-WireマスターVIL最大限より低い0タイムスロット

図5. 1-Wire読み込みのスコープスロット、アクティブな1-Wireスレーブオープンドレインリターンおよび0.4Vの一般的な1-WireマスターVIL最大限より低い0タイムスロット

結論

1.8Vから5Vへの1-Wire双方向ロジックレベル変換のためのこのRDは、一般的な1-Wireスレーブデバイスを駆動します。設計図が造られたのち試験されました。回路図、BOM、および一般的な波形が示されています。

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