SSM2212
製造中マッチング・トランジスタ(NPN)、デュアル、オーディオ向け
- 製品モデル
- 5
- 1Ku当たりの価格
- 最低価格:$3.52
製品の詳細
- 低い電圧ノイズ:1nV/√Hz(max)@100Hz
- 優れた電流ゲイン・マッチング:0.5%
- 低オフセット電圧(VOS):200μV(max)
- 並外れた入力オフセット電圧ドリフト:0.03μV/℃
- 大きなゲイン帯域幅積:200MHz
SSM2212は、デュアル、NPNのマッチングの取れたトランジスタ・ペアで、超低ノイズのオーデオ・システム向けに適合するよう、特別に設計されています。
極めて低い入力ベース拡散抵抗(RBB=28Ω(typ))と高い電流ゲイン(hFE≧600@lC=1mA)を備えたSSM2212は、並外れた信号―ノイズ比を達成することが出来ます。この性能は、一般的に入手可能なモノリシック・アンプを採用しているシステムと比較すると、並外れた性能結果をもたらします。
約0.5%と優れたマッチングが取れた電流ゲイン(ΔhFE)と50μ(typ)以下の低いVOSを備えているため、この製品は、対称的にバランスした設計にとっては理想的な製品で、高次の増幅された高調波歪を軽減させます。
マッチング・パラメータの安定性は、ベース・エミッタ接合間の保護ダイオードによって保証されています。これらのダイオードは、ベース・エミッタ接合の逆バイアスによる、ベータとマッチング特性による性能劣化を防ぎます。
SSM2212は、また、高精度で信頼性の高い電流バイアッシングとミラー回路としても理想的な選択肢といえます。さらに、カレント・ミラーの精度はトランジスタ・ペア間のVBEのミスマッチによってエクスポーネンシャルに劣化しますが、SSM2212は低いVOSを備えているため、ほとんどの回路アプリケーションでは、オフセット・トリミングの必要がありません。SSM2212の性能および特性は、拡張温度範囲-40℃~+85℃にわたって保証されています。
ドキュメント
Student Zone Article page 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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SSM2212CPZ-R7 | 16-Lead LFCSP (3mm x 3mm w/ EP) | ||
SSM2212CPZ-RL | 16-Lead LFCSP (3mm x 3mm w/ EP) | ||
SSM2212RZ | 8-Lead SOIC | ||
SSM2212RZ-R7 | 8-Lead SOIC | ||
SSM2212RZ-RL | 8-Lead SOIC |
製品モデル | 製品ライフサイクル | PCN |
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11 9, 2011 - 11_0182 Test Site Transfer from Analog Devices Philippines Inc in Paranaque to Analog Devices General Trias in Cavite, Philippines |
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SSM2212RZ | 製造中 | |
SSM2212RZ-R7 | 製造中 | |
SSM2212RZ-RL | 製造中 |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。