MAX1386

I²C/SPIインタフェース内蔵、デュアルRF LDMOSバイアスコントローラ

省電力、高集積、コスト削減

データシート (Rev. 0)
利用上の注意

アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいはその利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ･デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は予告なしに変更する場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。


本データシートの英語以外の言語への翻訳はユーザの便宜のために提供されるものであり、リビジョンが古い場合があります。最新の内容については、必ず最新の英語版をご参照ください。

なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」（リビジョン0）で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」（Rev.G）と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。
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製品の詳細

  • 利得が2、10、または25のハイサイドドレイン電流検出PGA内蔵
  • 検出電圧範囲(75mV～250mV)の精度：±0.5%
  • フルスケール検出電圧：100mV (利得が25の場合)
  • フルスケール検出電圧：250mV (利得が10の場合)
  • LDMOS用ドレイン電圧コモンモード範囲：5V～30V
  • ±10mAのゲートドライブによる調整可能な低ノイズ範囲：0～5V、出力ゲートバイアス電圧範囲：0～10V
  • 0Vへの高速クランプによるLDMOS保護
  • ゲートバイアス電圧の8ビットDAC制御
  • 温度によるゲートバイアスオフセットの10ビットDAC制御
  • 内部ダイ温度測定
  • ダイオード接続トランジスタ(2N3904)による外部温度測定
  • 温度、電流、および電圧の内部12ビットADC測定
  • 選択可能なI²C/SPI対応のシリアルインタフェース
    • 設定とデータ測定用400kHz/1.7MHz/3.4MHzのI²C対応の制御
    • 設定とデータ測定用16MHzのSPI対応の制御
  • 内部2.5Vリファレンス
  • 3つのアドレス入力によってI²Cモードで8つのデバイスを制御
MAX1386
I²C/SPIインタフェース内蔵、デュアルRF LDMOSバイアスコントローラ
MAX1385、MAX1386：標準動作回路(I²Cモード)
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