MAX1385
I²C/SPIインタフェース内蔵、デュアルRF LDMOSバイアスコントローラ
省電力、高集積、コスト削減
製品の詳細
- 利得が2、10、または25のハイサイドドレイン電流検出PGA内蔵
- 検出電圧範囲(75mV~250mV)の精度:±0.5%
- フルスケール検出電圧:100mV (利得が25の場合)
- フルスケール検出電圧:250mV (利得が10の場合)
- LDMOS用ドレイン電圧コモンモード範囲:5V~30V
- ±10mAのゲートドライブによる調整可能な低ノイズ範囲:0~5V、出力ゲートバイアス電圧範囲:0~10V
- 0Vへの高速クランプによるLDMOS保護
- ゲートバイアス電圧の8ビットDAC制御
- 温度によるゲートバイアスオフセットの10ビットDAC制御
- 内部ダイ温度測定
- ダイオード接続トランジスタ(2N3904)による外部温度測定
- 温度、電流、および電圧の内部12ビットADC測定
- 選択可能なI²C/SPI対応のシリアルインタフェース
- 設定とデータ測定用400kHz/1.7MHz/3.4MHzのI²C対応の制御
- 設定とデータ測定用16MHzのSPI対応の制御
- 内部2.5Vリファレンス
- 3つのアドレス入力によってI²Cモードで8つのデバイスを制御
MAX1385/MAX1386は、携帯電話基地局に見られるデュアルRF LDMOSパワーデバイス用のバイアス状態の設定と制御を行います。各デバイスは、利得が2、10、および25から選択可能なハイサイド電流検出アンプを内蔵しており、20mA~5Aの範囲のLDMOSドレイン電流を監視します。2つの外付けダイオード接続トランジスタがLDMOS温度を監視すると同時に、内部温度センサがMAX1385/MAX1386のローカルのダイ温度を測定します。12ビットADCが、プログラマブルゲインアンプ(PGA)の出力、外部/内部温度の読取り、および2つの補助入力を変換します。
2つのゲートドライブチャネルは、それぞれ8ビット粗調整および10ビット微調整のDAC、およびゲートドライブアンプで構成され、LDMOSデバイスをバイアスする正ゲート電圧を生成します。MAX1385は利得2のゲートドライブアンプを備え、MAX1386のゲートドライブアンプの利得は4です。8ビット粗調整および10ビット微調整DACによって、最大18ビットの分解能が可能です。MAX1385/MAX1386は、自動較正機能を備えており、時間、温度、電源電圧全体においての誤差を最小限に抑えます。
MAX1385/MAX1386は、I²C/SPI™対応のシリアルインタフェースを備えています。いずれのデバイスも、4.75V~5.25Vのアナログ電源(3.2mA電源電流)、2.7V~5.25Vのディジタル電源(3.1mA電源電流)、および4.75V~11.0Vのゲートドライブ電源(4.5mA電源電流)で動作します。MAX1385/MAX1386は、48ピンTQFNパッケージで提供されます。
アプリケーション
- 産業用プロセス制御
- セルラ基地局のRF LDMOSバイアス制御
ドキュメント
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
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