问题:
人工智能(AI)应用对高性能内存，尤其是高带宽内存(HBM)的需求 不断增长，是如何影响自动测试设备（ATE）厂商的设计复杂度的呢？
答案:
高带宽存储器（HBM）对于人工智能而言至关重要，因为它具备高密度和高带宽的特性，能够满足高效数据处理的需求。自动测试设备（ATE）厂商及其开发的系统需要紧跟先进的存储器接口测试的步伐。ADI 的互补金属氧化物半导体（CMOS）开关非常适合自动测试设备（ATE）厂商进行存储器晶圆探针电源测试，它具有诸如快速导通速度和可扩展性等特点，这些特点能够提升测试的并行性，从而可以对存储器组件进行更全面、更快速的测试。
摘要
本文提出，CMOS开关可以取代自动测试设备(ATE)厂商使用的PhotoMOS®开关。CMOS开关的电容乘电阻(CxR)性能可以与PhotoMOS相媲美，且其导通速度、可靠性和可扩展性的表现也很出色，契合了先进内存测试时代ATE厂商不断升级的需求。
简介
人工智能(AI)应用对高性能内存，尤其是高带宽内存(HBM)的需求不断增长，芯片设计因此变得更加复杂。自动测试设备(ATE)厂商是验证这些芯片的关键一环，目前正面临着越来越大的压力，需要不断提升自身能力以满足这一需求。传统上，在存储器晶圆探针电源应用中，PhotoMOS开关因其良好的低电容乘电阻(CxR)特性而得到采用。低CxR有助于减少信号失真，改善开关关断隔离度，同时实现更快的开关速度和更低的插入损耗。
除了上述优点外，PhotoMOS开关的关态电压也较高，但也存在一些局限性，主要体现在可靠性、可扩展性和导通速度方面。其中，导通速度较慢一直是客户不满的一大原因。
为了应对这些挑战，ADI公司开发出了新型开关来取代存储器晶圆探针电源应用中的PhotoMOS。ADI开关不仅导通速度非常快，而且同样具备低CxR特性，可以确保高效切换。此外还具有良好的扩展性，能够改善测试的并行处理能力，使ATE能够处理更大规模、速度更快的测试任务。如今AI应用对高效和高性能内存测试的需求日益增长，为此，ATE公司正积极寻求更优的解决方案。在这种背景下，ADI开关凭借一系列出色特性，成为了PhotoMOS的有力替代方案。
应用原理图
在ATE设置中，开关扮演着非常重要的角色。开关能够将多个被测器件(DUT)连接到同一个测量仪器（例如参数测量单元PMU），或者将它们从测量仪器上断开，以便执行测试流程。具体来说，开关使得PMU能够高效地向不同DUT施加特定电压，并检测这些DUT反馈的电流。开关能够简化测试流程，在需要同时或依次测试多个DUT的情况下，这种作用更加突出。通过使用开关，我们可以将PMU的电压分配到多个DUT，并检测其电流，这不仅提高了测试效率，还大幅减少了每次测试之间重新配置测试装置的麻烦。
图1展示了如何利用开关轻松构建矩阵配置，使得一个PMU就能评估多个DUT。这种配置减少了对多个PMU的需求，并简化了布线，从而显著提高了ATE系统的灵活性和可扩展性，对于大批量或多器件的测试环境至关重要。
开关架构
为便于理解评估研究（即利用开发的硬件评估板对PhotoMOS开关和CMOS开关进行比较）以及研究得出的结果，这里比较了PhotoMOS开关和CMOS开关的标准。从二者的开关架构开始比较更易于看出差别。
CMOS开关和PhotoMOS开关的架构不同，图2显示了开关断开时的关断电容(COFF)。该寄生电容位于输入源极引脚和输出引脚之间
对于PhotoMOS开关， COFF位于漏极输出引脚之间。此外，PhotoMOS开关具有输入到输出电容（也称为漏极电容），同时在其用于导通和关断输出MOSFET的发光二极管(LED)级也存在输入电容。
对于CMOS开关， COFF位于源极和漏极引脚之间。除了 COFF之外，CMOS开关还有漏极对地电容(CD)和源极对地电容(CS)。这些对地电容也是客户在使用CMOS开关时经常抱怨的问题。
当任一开关使能时，输入信号便可传输至输出端，此时源极和漏极引脚之间存在导通电阻(RON)。通过了解这些架构细节，我们 可以更轻松地分析评估研究中的电容、RON和开关行为等性能指标，确保为特定应用选择正确的开关类型。
开关规格和附加值
为了更好地对开关进行定性和定量评估，应该考察其在系统设计应用中带来的附加值。如上所述，对于图1所示应用， ADG1412 是理想选择，可以轻松替代PhotoMOS开关。这款CMOS开关是四通道单刀单掷(SPST)器件，拥有出色的特性，包括高功率处理能力、快速响应时间、低导通电阻和低漏电流等。设计人员可以通过比较表1列出的重要指标，评估CMOS开关性能并打分，从而量化其相对于其他替代方案的优势。这有助于更深入地了解器件的信号切换效率，对于复杂或敏感的电子系统非常有帮助。
| 评估标准 | PhotoMOS 1-Form-A (1) |
ADG1412 (四通道SPST) |
附加值 | 记分卡 |
| 漏电流 | 1 nA | 30 pA | 非常适合漏电流测试;输出端电压误差贡献更小 | CMOS 开关更好 |
| COFF | 0.45 pF | 1.6 pF | 波形失真更小，隔离度更高 | PhotoMOS 开关更好 |
| RON | 12 Ω | 1.5 Ω | 输出端信号电压较低, 插入损耗更低 | CMOS 开关更好 |
| (CxR)乘积 | 5.4 pF. Ω | 2.4 pF. Ω* | 波形失真更小、隔离度更高、信号损失较低 | PhotoMOS开关略胜一筹因为其漏极电容较低 |
| 漏极电容[CD(OFF)] | 1 pF | 23 pF | 值越高， CxR 性能越差，导致输入信号失真，关断隔离度降低 | PhotoMOS 开关更好 |
| 导通速度 | 200 μs | 100 ns | 切换能力较快 | CMOS 开关更好 |
| 电压、电流能力 | (32 V, 120 mA) | (32 V, 250 mA) | 能够将更多输出驱动电流传输到负载 | CMOS 开关更好 |
| 成本/通道 | 高 | 低 | 有助于提高通道密度，成本最多降低50% | CMOS 开关更好 |
| 封装面积 | 3.55 mm2 | 每个开关4.00 mm2 | 布局后开关面积非常接近 | 非常接近 |
| * CD (OFF) 会影响 CxR乘积性能 | ||||
关断隔离：开关断开时的电容
两种开关的关断隔离曲线（图3）表明，输入信号受到高度抑制（100 kHz时为-80 dB），未到达输出端。随着频率提高，PhotoMOS的性能开始略高一筹，二者相差-10 dB。对于图1所示的开关应用（直流(DC)切换），开关电容并不重要，重要的开关参数是低漏电流、高导通速度和低插入损耗。
插入损耗：开关导通电阻
低ON的开关至关重要。 I*R电压降会限制系统性能。各器件之间以及温度变化引起的RON波动越小，测量误差就越小。图4中的插入损耗曲线显示，在100 kHz频率下，PhotoMOS开关的插入损耗为-0.8 dB，而CMOS开关的插入损耗仅为-0.3 dB。这进一步证实了CMOS开关具有较低的RON (1.5 Ω)。
开关导通时间
当驱动使能/逻辑电压施加到任一开关上，使其闭合并将输入信号传递到输出端时，如果使用的是PhotoMOS开关，则会存在明显的延迟（如图5所示）。这种较慢的导通速度由于LED输入级的输入电容，以及内部电路将电流转换为驱动MOSFET栅极所需电压的过程中产生的延迟造成的。导通速度慢一直是客户不满的主要原因，而且会影响系统整体应用的速度和性能。相比之下，CMOS开关的导通速度(100 ns)是PhotoMOS开关(200,000 ns)的2000倍(×2000)，更能满足系统应用所需。
设计迁移：PhotoMOS替换为ADG1412开关
如果系统中使用的是PhotoMOS开关，并且遇到了测量精度不高、导通速度慢导致系统资源占用过多，以及难以提高通道密度等问题，那么升级到采用CMOS开关的方案将使开发变得非常简单。图6显示了PhotoMOS开关与CMOS开关的连接点对应关系。因此，系统设计可以利用CMOS开关，以更低的成本实现更高的通道密度。
ADI开关可提高通道密度
表2列出了一些能够提高通道密度的ADI开关示例。这些开关具有与ADG1412类似的性能优势，导通电阻更低（低至0.5 Ω），而且成本比PhotoMOS开关还低。这些开关提供串行外设接口(SPI)和并行接口，方便与控制处理器连接。
| 产品 | RON (Ω) | 开关配置 | 1ku 标价/通道($) |
| ADG2412 | 0.5 | 四通道SPST | 非常有竞争力 |
| ADG6412 | 0.5 | 四通道SPST | 非常有竞争力 |
| ADGS2414D | 0.56 | SPI: 八通道SPST | 非常有竞争力 |
结论
本文着重说明了CMOS开关的潜力。在ATE应用中，ADG1412可以很好地取代PhotoMOS开关。比较表明，CMOS开关的性能达到甚至超过了预期，尤其是在对开关电容或漏极电容要求不高的场合。此外，CMOS开关还拥有显著的优势，例如更高的通道密度和更低的成本。
ADI公司的CMOS开关产品系列非常丰富，不仅提供导通电阻更低的型号，还支持并行和SPI两种控制接口，从而更加有力地支持了在ATE系统中使用CMOS开关的方案。
欲了解所提供开关的更多信息，请访问以下链接。