DS1744

量产

Y2K兼容、非易失时钟RAM

产品模型
8
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产品详情

  • 集成的NV SRAM、实时时钟、晶体、电源失效控制电路和锂电池
  • 访问时钟寄存器方式与静态RAM完全相同,这些寄存器位于RAM中最高的8个地址
  • 世纪字节寄存器;Y2K兼容
  • 完全的非易失性,可在缺少电源的条件下工作10年以上
  • BCD编码的世纪、年、月、日、星期、小时、分和秒数据,可自动进行闰年补偿至2100年
  • 电池电压指示标志
  • 电源失效写保护,允许±10%的VCC电源容差
  • 锂电池处于开路的保鲜模式,直至首次电源加电
  • 仅对于DIP模块
    • 标准的JEDEC字节宽度32k x 8静态RAM引脚排列
  • 仅对于PowerCap模板
    • 可表贴的封装直接与包含电池和晶体的PowerCap连接
    • 可替换的电池(PowerCap)
    • 上电复位输出
    • 引脚兼容于其他密度的DS174xP时间保持RAM
  • 提供工业级温度范围:-40°C至+85°C
DS1744
Y2K兼容、非易失时钟RAM
DS1744、DS1744P:原理框图
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部分模型 产品周期 描述
非易失性计时RAM 1
DS9034PCX PowerCap,带有晶振
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