DS1647

非易失时钟RAM

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产品详情

  • 集成了NV SRAM、实时时钟、晶振、电源失效控制电路及锂电池
  • 时钟寄存器访问方式等同于静态RAM,这些寄存器占用8个高端RAM地址
  • 无电源供电时,可保持非易失性10年以上
  • BCD编码的世纪、年、月、日、星期、时、分、秒,同时具有自动闰年补偿至2100年
  • 电源失效写保护允许±10% VCC电源容差
  • DS1647 (DIP模块):
    • 标准JEDEC字节宽度128k x 8 RAM引脚
  • DS1647P (PowerCap模板):
    • 表面可贴装的封装形式,直接连接到包括电池和晶振的PowerCap模块
    • 电池可更换(PowerCap)
    • 电源失效输出
    • 引脚兼容于其它密度的DS164xP时间保持RAM
DS1647
非易失时钟RAM
DS1647、DS1647P:原理框图
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硬件生态系统

部分模型 产品周期 描述
非易失性计时RAM 1
DS9034PCX PowerCap,带有晶振
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