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MAT01

不推荐用于新设计

匹配单芯片双通道晶体管

产品模型
4
产品技术资料帮助

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产品详情

  • 低VOS(VBE匹配): 40 μV(典型值);100 μV(最大值)
  • 低TCVOS: 0.5 μV/°C(最大值)
  • 高hFE: 500(最小值)
  • 出色的hFE线性度:从10 nA至10 mA
  • 低噪声电压: 0.23 μV p-p(0.1 Hz至10 Hz)
  • 高击穿电压: 45 V(最小值)

MAT01
匹配单芯片双通道晶体管
提问

参考资料

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