MAX1782

高性能スマートバッテリパックコントローラ

利用上の注意

アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいはその利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ･デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は予告なしに変更する場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。


本データシートの英語以外の言語への翻訳はユーザの便宜のために提供されるものであり、リビジョンが古い場合があります。最新の内容については、必ず最新の英語版をご参照ください。

なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」（リビジョン0）で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」（Rev.G）と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。
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製品の詳細

  • 電圧周波数変換法を使用した高精度残量ゲージ
    • 入力オフセット電圧：1µV以下
    • ゲイン精度：1.5%以下
    • 較正不要
  • 8ビットRISCマイクロコントローラコア
  • 8kバイトのプログラム/データEEPROM
  • 64バイトのバイト書込み可能なEEPROM
  • 264バイトのRAM
  • ウォッチドッグタイマ
  • ファームウェアデバッグ用ICE
  • 統合開発環境(IDE)
    • Cコンパイラ
    • インラインアセンブラ
  • 別個の一次保護用IC不要
    • 各セル電圧の測定精度：0.85%
    • 保護用MOSFETのゲートドライバ内蔵
    • 高精度過電流保護：8%
    • プログラマブル過電流遅延タイマ
  • SMBus v1.1 対応、マスタ能力付き
  • 動作電流(typ)：120µA以下
  • シャットダウン電流(typ)：10nA以下
  • 水晶不要の内蔵32kHz発振器
  • LDO (VIN = 4V～28V)内蔵
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高性能スマートバッテリパックコントローラ
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