DS1848
新規設計には非推奨デュアル温度制御NV可変抵抗およびメモリ
- 製品モデル
- 8
- 1Ku当たりの価格
- 最低価格:$3.91
製品の詳細
- 2個の温度制御されたリニアテーパ可変抵抗器
- DS1848-050
- 1つの50kΩ、256ポジション
- 1つの10kΩ、256ポジション
- DS1848-010
- 2つの10kΩ、256ポジション
- 2℃刻みで変更可能な抵抗器設定値
- 2線式インタフェースで、温度データとデバイス制御にアクセス
- 3Vまたは5V電源で動作
- パッケージ:14ピンTSSOP、16ボールCSBGA
- 動作温度:-40℃~+95℃
- プログラミング温度:0℃~+70℃
- 128バイトのユーザEEPROM
デュアル温度制御不揮発性(NV)可変抵抗器DS1848は、2つの256ポジションリニア可変抵抗器で構成されています。DS1848-050は1つの10kΩ抵抗器と1つの50kΩ抵抗器で構成されていますが、DS1848-010は2つの10kΩ抵抗器で構成されており、これらはともにダイレクト-ディジタル変換の温度センサを内蔵しています。このデバイスによって、制御アプリケーションにおける温度補償されたバイアス電圧とバイアス電流の設定を最小限の回路で実現する理想的な方法を提供します。
可変抵抗器の設定値は、EEPROMメモリに保存され、業界標準の2線式シリアルバスでアクセスできます。各可変抵抗器の値は、温度アドレスルックアップテーブルにより決定されます。これらのルックアップテーブルでは、-40℃~+95℃の範囲において2℃ごとに各抵抗器に固有値を割り当てることができます。また、ディジタル温度センサの出力は、シリアルバス上で13ビットの2の補数値として利用することができます。インタフェースのI/Oピンは、SDAとSCLです。
ドキュメント
データシート 2
信頼性データ 1
デザイン・ノート 4
技術記事 10
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
---|---|---|---|
DS1848B-010+ | Chip-Scale Ball-Grid Array | ||
DS1848B-010+T&R | Chip-Scale Ball-Grid Array | ||
DS1848B-050+ | Chip-Scale Ball-Grid Array | ||
DS1848B-050+T&R | Chip-Scale Ball-Grid Array | ||
DS1848E-010+ | Thin Shrink Small-Outline Package | ||
DS1848E-010+T&R | Thin Shrink Small-Outline Package | ||
DS1848E-050+ | Thin Shrink Small-Outline Package | ||
DS1848E-050+T&R | Thin Shrink Small-Outline Package |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
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