シリコン（SOI）スイッチ

ADRF5024 は、シリコン・プロセスを使って製造した反射単極双投（SPDT）スイッチです。

このスイッチは、1.7 dB の挿入損失および 35 dB のアイソレーションより良好な状態で、100 MHz ～ 44 GHzで動作します。ADRF5024 は、スルー・パスとホット・スイッチングの両方に対応する、27 dBm の無線周波数（RF）入力電力処理機能を備えています。

ADRF5024 では、+3.3 V の正側（供給）電源で 14 µA、−3.3 V の負電源で 120 µA の低電流が流れます。デバイスでは、相補型金属酸化膜半導体（CMOS）／低電圧トランジスタ-トランジスタ・ロジック（LVTTL）互換の制御が採用されています。

ADRF5024 は、9 kHz ~ 44 GHz で動作する ADRF5025（低周波カットオフ・バージョン）とのピン互換性を備えています。

ADRF5024 RF ポートは、50 Ω の特性インピーダンスに一致するように設計されています。超広帯域幅製品の場合、RF 伝送ラインでのインピーダンス・マッチングは、高周波挿入損失とリターン・ロス特性をさらに最適化することができます。詳細については、「電気仕様」、「代表的な性能特性」、「アプリケーション情報」の各セクションを参照してください。

ADRF5024 は、2.25 mm × 2.25 mm、12 端子、RoHS 準拠、ランド・グリッド・アレイ（LGA）パッケージといった特徴を備え、−40°C ~ +105°C で動作可能です。

アプリケーション

• 工業用センサー
• 試験および計測器
• セルラ・インフラストラクチャ:5G ミリ波
• 防衛用無線, レーダー, 電子対抗手段（ECM）
• マイクロ波無線および超小型地球局（VSAT）

ADRF5025 は、シリコン・プロセスを使って製造した反射単極双投（SPDT）スイッチです。

このスイッチは、9 kHz～44 GHzの範囲で、1.6 dB より良好な挿入損失および 35 dB より良好なアイソレーションで動作します。ADRF5025 は、スルー・パスとホット・スイッチングの両方に対応する、27 dBm の無線周波数（RF）入力電力処理機能を備えています。

ADRF5025 では、+3.3 V の正電源で 14 μA、−3.3 V の負電源で 120 μA の低電流が流れます。また、相補型金属酸化膜半導体（CMOS）／低電圧トランジスタ-トランジスタ・ロジック（LVTTL）互換の制御が採用されています。

このデバイスは、100 MHz ~ 44 GHz で動作する ADRF5024（低周波カットオフ・バージョン）とのピン互換性を備えています。

ADRF5025のRF ポートは、50 Ω の特性インピーダンスに整合するように設計されています。超広帯域幅製品の場合、RF 伝送ラインでのインピーダンス・マッチングにより、高周波での挿入損失とリターン損失の特性を更に最適化することができます。詳細については、「電気仕様」、「代表的な性能特性」、「アプリケーション情報」の各セクションを参照してください。

ADRF5025 は、2.25 mm × 2.25 mmの12 端子、RoHS 準拠、ランド・グリッド・アレイ（LGA）パッケージに収納され、−40°C ~ +105°C で動作可能です。

アプリケーション

• 工業用センサー
• 試験および計測器
• セルラ・インフラストラクチャ：5G ミリ波
• 防衛用無線、レーダー、電子対抗手段（ECM）
• マイクロ波無線および超小型地球局（VSAT）

ADRF5046は、シリコン・プロセスを使って製造した反射単極四投（SP4T）スイッチです。 

ADRF5046は、3.0dBより低い挿入損失および31dBより高いアイソレーションで、100MHz～44GHzで動作します。このデバイスは、スルー・パスとホット・スイッチングの両方に対応する、27dBmの無線周波数（RF）入力電力処理機能を備えています。 

ADRF5046では、+3.3Vの正側（供給）電源で3μA、−3.3Vの負電源で−110μAの低電流が流れます。  

このデバイスは、相補型金属酸化膜半導体（CMOS）／低電圧トランジスタ - トランジスタ・ロジック（LVTTL）の互換制御を行います。 

ADRF5046は、20端子、3mm × 3mm、RoHS準拠、ランド・グリッド・アレイ（LGA）パッケージといった特徴を備え、−40°C～+105°Cで動作可能です。 

アプリケーション

• 工業用スキャナ
• 試験および計測器
• セルラ・インフラストラクチャ – mmWave 5G
• 防衛用無線、レーダー、電子対抗手段（ECM）
• マイクロ波無線および超小型地上局（VSAT）

ADRF5047は、シリコン・プロセスを使って製造した反射単極四投（SP4T）スイッチです。

ADRF5047は、2.7dBより低い挿入損失および31dBより高いアイソレーションで、9kHz～44GHzで動作します。このデバイスは、スルー・パスとホット・スイッチングの両方に対応する、26.5dBmの無線周波数（RF）入力電力処理機能を備えています。

ADRF5047では、+3.3Vの正側（供給）電源で3μA、−3.3Vの負電源で−110μA の低電流が流れます。デバイスでは、相補型金属酸化膜半導体（CMOS）／低電圧トランジスタ-トランジスタ・ロジック（LVTTL）互換の制御が行われます。

ADRF5047は、100MHz～44GHzで動作するADRF5046（高速スイッチ・バージョン）とのピン互換性を備えています。

ADRF5047は、20端子、3mm × 3mm、RoHS準拠、ランド・グリッド・アレイ（LGA）パッケージといった特徴を備え、−40°C～+105°Cで動作可能です。

アプリケーション

• 工業用スキャナ
• 試験用計測器
• セルラ・インフラストラクチャ—mmWave 5G
• 防衛用無線、レーダー、電子対抗手段（ECM）
• マイクロ波無線および超小型地上局（VSAT）

ADRF5026 は、シリコン・プロセスを使って製造した無反射単極双投（SPDT）無線周波数（RF）スイッチです。

ADRF5026 は、3.8 dB の挿入損失および 45 dB のアイソレーションより良好な状態で、100 MHz ～ 44 GHz で動作します。ADRF5026 は、両方の RF ポートがアイソレーション状態にあるオール・オフ・コントロールを備えています。ADRF5026 は無反射設計で、両方の RF ポートは内部で50 Ω に終端されています。

ADRF5026 は +3.3 V と −3.3 V の両電源電圧を必要とし、デバイスは相補型金属酸化膜半導体／低電圧トランジスタトランジスタ・ロジック（CMOS/LVTTL）のロジック互換制御を使用します。

ADRF5026 は、9 kHz ～ 44 GHz で動作する ADRF5027（低周波カットオフ・バージョン）とのピン互換性を備えています。

ADRF5026 RF ポートは、50 Ω の特性インピーダンスにマッチするように設計されています。超広帯域幅製品の場合、RF 伝送ラインでのインピーダンス・マッチングは、高周波挿入損失とリターン・ロス特性をさらに最適化することができます。28 GHz から43 GHz までの2.4 dB の平坦な挿入損失応答を実現する整合回路の例については、狭帯域インピーダンス・マッチングのセクションを参照してください。

ADRF5026 は、20端子、3 mm × 3 mm、RoHS 準拠、ランド・グリッド・アレイ（LGA）パッケージといった特徴を備え、−40°C ～ +105°C で動作可能です。

ADRF5026 は、防衛・航空宇宙アプリケーション（AQEC規格）に対応しています。

アプリケーション

• 工業用センサー
• 試験および計測器
• セルラ・インフラストラクチャ:5G ミリ波
• 防衛用無線、レーダー、電子対抗手段（ECM）
• マイクロ波無線および超小型地球局（VSAT）

ADRF5027 は、シリコン・プロセスを使って製造した無反射単極双投（SPDT）無線周波数（RF）スイッチです。

ADRF5027 は、3.8 dB の挿入損失および 43 dB のアイソレーションより良好な状態で、9 kHz ～ 44 GHz で動作します。ADRF5027 は、両方の RF ポートがアイソレーション状態にあるオール・オフ・コントロールを備えています。ADRF5027 は無反射設計で、両方の RF ポートは内部で50Ωに終端されています。

ADRF5027 は +3.3 V と −3.3 V の両電源電圧を必要とし、デバイスは相補型金属酸化膜半導体／低電圧トランジスタトランジスタ・ロジック（CMOS/LVTTL）のロジック互換制御を使用します。

ADRF5027 は、100 MHz ～ 44 GHz で動作する ADRF5026 （高速スイッチ・バージョン）とのピン互換性を備えています。

ADRF5027 RF ポートは、50Ωの特性インピーダンスにマッチするように設計されています。超広帯域幅製品の場合、RF 伝送ラインでのインピーダンス・マッチングは、高周波挿入損失とリターン・ロス特性をさらに最適化することができます。28 GHz から 43 GHz までの 2.2 dB の低挿入損失応答を実現するマッチング回路の例については、狭帯域インピーダンス整合のセクションを参照してください。

ADRF5027 は、20端子、3 mm × 3 mm、RoHS 準拠、ランド・グリッド・アレイ（LGA）パッケージといった特徴を備え、−40°C ～ +105°C で動作可能です。

アプリケーション

• 工業用センサー
• 試験および計測器
• セルラ・インフラストラクチャ:5G ミリ波
• 防衛用無線、レーダー、電子対抗手段（ECM）
• マイクロ波無線および超小型地球局（VSAT）

ADRF5020 は、シリコン・プロセスを使って製造した汎用の単極双投（SPDT）スイッチです。3 mm × 3 mm、20 ピン・ランド・グリッド・アレイ（LGA）パッケージに収められ、100MHz ～ 30 GHz で高アイソレーションと低挿入損失を実現します。

この広帯域スイッチは +3.3 V と −2.5 V のデュアル電源電圧を必要とし、CMOS/LVTTL ロジック互換の制御を行います。

アプリケーション

• 試験用計測装置
• マイクロ波無線および超小型地上局（VSAT）
• 防衛用無線、レーダー、電子対抗手段（ECM）
• ブロードバンド通信システム

ADRF5021 は、シリコン・プロセスを使って製造した汎用の単極双投（SPDT）スイッチです。3 mm × 3 mm、20 ピン・ランド・グリッド・アレイ（LGA）パッケージに収められ、9 kHz ～ 30 GHz で高アイソレーションと低挿入損失を実現します。 

この広帯域スイッチは +3.3 V と −2.5 V のデュアル電源電圧を必要とし、CMOS/LVTTL ロジック互換の制御を行います。 

アプリケーション

• 試験用計測器
• マイクロ波無線および超小型地上局（VSAT）
• 防衛用無線、レーダー、電子対抗手段（ECM）
• 広帯域通信システム

ADRF5044 は、シリコン・プロセスを使って製造した汎用の単極四投（SP4T）スイッチです。24 端子ランド・グリッド・アレイ（LGA）パッケージに収められ、100 MHz ～ 30 GHz で高アイソレーションと低挿入損失を実現します。

この広帯域スイッチは +3.3 V と −3.3 V の両電源電圧を必要とし、相補型金属酸化膜半導体（CMOS）／低電圧トランジスタ - トランジスタ・ロジック（LVTTL）のロジック互換制御を行います。

アプリケーション

• 試験用計測器
• マイクロ波無線および超小型地球局（VSAT）
• 防衛用無線、レーダー、電子対抗手段（ECM）
• 広帯域通信システム

ADRF5045 は、シリコン・プロセスを使って製造した汎用の単極四投（SP4T）スイッチです。 24 端子ランド・グリッド・アレイ（LGA）パッケージに収められ、9 kHz ～ 30 GHz で高アイソレーションと低挿入損失を実現します。

この広帯域スイッチは +3.3 V と −3.3 V の両電源電圧を必要とし、相補型金属酸化膜半導体（CMOS）／低電圧トランジスタ - トランジスタ・ロジック（LVTTL）のロジック互換制御を行います。

アプリケーション

• 試験用計測器
• マイクロ波無線および超小型地球局（VSAT）
• 防衛用無線、レーダー、電子対抗手段（ECM）
• 広帯域通信システム