理解和配置DS2483 1-Wire®主机
Abstract
DS2483是新一代集成1-Wire主机。DS2483配置灵活,具有2级节电模式和电平转换器功能,非常适合于电池供电的应用。本应用笔记介绍1-Wire主机端口的工作,给出关于更改默认配置的建议,并且介绍了如何确定给定网络的驱动能力。
引言
DS2483是集成1-Wire主机系列(表1)中的最新成员。器件基于DS24821-Wire主机,增加了配置灵活性和电平转换器,使I²C和1-Wire端口可工作于不同电压。电池供电设备将受益于2级节电模式,此时主机功能和1-Wire总线可独立关断。如应用笔记《如何使用I²C接口的DS2482 1-Wire主控制器》所述,只需一个附加命令和寄存器,现有DS2482固件很容易实现DS2483的改进。本应用笔记介绍器件的主要特性,给出了使用指南,并且提供了如何确定DS2483在标准速率或高速模式下能否驱动给定1-Wire网络的方法。表1为DS2483与其它Maxim 1-Wire主机的特性比较。
表1. DS2483与其它1-Wire主机比较表* | |||
Feature | DS2483 | DS2482 | DS2480B |
Host Port Type | I²C | I²C | RXTX |
Host Port Voltage | 1.8V, 3.3V, 5.0V | 3.3V, 5.0V | 5.0V |
Low-Power Mode | Yes | DS2482-101 only | No |
1-Wire Pullup Voltage | 1.7V to 5.25V | 3.3V, 5.0V | 5.0V |
1-Wire Pullup Type | Resistive, switched | Resistive, switched | Current source, switched |
Slew Rate Control | Falling edge, fast | Rising and falling edge, slow | Falling edge, 0.55V/µs to 15V/µs (STD), 15V/µs (OD) |
1-Wire Input High Voltage | 0.6 × VCC (min) | 1.9V (min) (VCC = 3.3V), 3.4V (VCC = 5.0V) | 3.4V (min) |
1-Wire Input Low Voltage | 0.2 × VCC (max) | 0.9V (max) (VCC = 3.3V), 1.2V (VCC = 5.0V) | 1.8V (max) |
Reset/Presence Detect Cycle | 880µs to 1480µs (STD), 88µs to 148µs (OD) | 1184µs (STD), 146µs (OD) | 1096µs (STD), 138µs (OD) |
Presence Pulse Detect | 58µs to 76µs (STD), 5.5µs to 11µs (OD) | 70µs (STD), 7.5µs (OD) | 72µs (STD), 10µs (OD) |
tW1L Duration | 8µs (STD), 0.75µs (OD) | 8µs (STD), 1.0µs (OD) | 8µs to 15µs (STD), 1.0µs (OD) |
Read Sample Time | 12µs (STD), 1.75µs (OD) | 14µs (STD), 1.5µs (OD) | 11µs to 25µs (STD), 2µs (OD) |
tREC0 Duration | 2.75µs to 25.25µs (STD and OD) | 5.3µs (STD), 3.0µs (OD) | 3µs to 10µs (STD), 3µs (OD) |
tW0L Duration | 52µs to 70µs (STD), 5µs to 10µs (OD) | 64µs (STD), 7.5µs (OD) | 57µs (STD), 7µs (OD) |
Time Slot Duration | tW0L + tREC0 | 69.3µs (STD), 10.5µs (OD) | tW1L + tREC0 + 49µs (STD, write-1, read), tW0L + tREC0 (STD, write-0), 10µs (OD) |
Active Pullup Threshold | 1.2V (max) | Approx. VCC/2 | 1.2V (max) |
Active Pullup Duration | tREC0 (min), tSLOT - tW1L (max) | 2.5µs (STD), 0.5µs (OD) | Load dependent, automatic |
DS2483可配置性
DS2483总共有9个可配置参数。其中5个参数为开关型,即状态要么为开要么为关。其它4个参数最多可有16种不同值。为向下兼容DS2482系列1-Wire主机,可通过器件配置寄存器配置其中4个开关参数。这些参数为有源上拉、强上拉、1-Wire速率,及新功能1-Wire关断。第5个开关参数弱上拉电阻值,以及定时参数复位低电平时间、应答脉冲采样时间、写零低电平时间和写零恢复时间可通过端口配置寄存器进行配置。
器件配置寄存器
除一位的定义外,该寄存器在DS2483中的功能与DS2482中相同。写操作通过写器件配置命令实现。可通过随后的I²C读操作验证设置。对于随机读操作,首先利用设置读指针命令,设置器件配置寄存器的指针代码,然后对器件执行I²C读操作。如果默认设置不满足具体应用,需要在上电复位(POR)及器件复位命令后更新器件配置。
器件配置寄存器位说明
APU有源上拉
功能:1-Wire通信期间,使能外部供电。供电随时隙结束,仅在应答检测周期的很短时间(0.5µs或2.5µs)有效。如果未置位APU,使用弱上拉电阻,将严重限制网络能处理的1-Wire从机数量。更多信息请参见DS2483如何实现1-Wire通信部分。
用途:正常情况下应置位APU。使用高速模式(OD)时,必须置位。APU不应置位的唯一场合是使用应用笔记4931《IEEE 1451.4 Class 1 MMI智能变送器的数字驱动电路》中图7所示的附加电路。
注:一旦置位,APU将保持置位状态,直到DS2483执行POR、接收器件复位命令或对该位写0。
SPU强上拉
功能:从1-Wire写字节命令产生的第8个时隙的上升沿开始,或者从1-Wire单位命令产生的时隙的上升沿开始使能外部供电。时隙结束后,继续供电,通常在DS2483接收另一个产生1-Wire活动的命令时结束,或者对SPU位写0时结束。
用途:强上拉用于在特定时间需要长时间供电的1-Wire从机,例如无VCC电源时写EEPROM、执行SHA计算或温度转换。
注:发生POR或执行器件复位命令时,SPU在随后的1-Wire活动(1-Wire复位、时隙)时自动返回至0。将SLPZ引脚的逻辑电平从1更改为0,然后再返回1时,不复位SPU。换句话说,如果供电已经打开,在休眠模式期间和之后继续打开。因此,建议在激活休眠模式之前复位SPU位。激活1-Wire关断模式时,必须向SPU位写零(见PDN位说明)。
1WS 1-Wire速度
功能:将1-Wire速度从标准模式(0,上电默认值)更改为高速模式(1),反之亦然。
用途:全部1-Wire从机工作在标准速度模式,大多数从机也支持高速模式,高速模式大约快8倍。只有网络足够小,在写1/读1时隙期间确保正确充电并能够读回逻辑1时,可工作在高速模式下。更多详细信息,请参见DS2483如何实现1-Wire通信部分。作为上电程序的一部分,主机以标准速度发送Overdrive Skip ROM命令,将1WS和APU位置1,然后发送1-Wire复位命令,此后所有1-Wire通信以高速进行。
注:一旦置位,1WS将保持置位状态,直到DS2483执行POR、接收器件复位命令或对该位写0。
PDN 1-Wire关断
功能:从1-Wire总线断开电源(弱上拉、有源上拉)。
用途:电池供电的设备带有的1-Wire器件通常不需要一直供电。1-Wire关断功能通过关断1-Wire总线,有助于保存电池能量。因此,1-Wire从机将丢失全部易失数据(例如其状态)。如果主机下一步将SLPZ引脚的逻辑电平从1改为0,这将关断DS2483,最多可节省300µA。如果应用中要求1-Wire从机保持其状态,保持PDN为0,将SLPZ的逻辑电平改为0。
注:当向器件配置寄存器写入PDN = 1时,将激活1-Wire关断时,确保SPU位为0。一旦置位,PDN将保持置位状态,直到DS2483执行POR、接收器件复位命令或对该位写0。如果置位PDN,将不能进行1-Wire通信。
端口配置寄存器
该寄存器为DS2483中的新寄存器。通过Adjust 1-Wire Port命令建立写操作。可通过随后的I²C读操作验证设置。对于随机读操作,首先利用设置读指针命令,设置器件配置寄存器的指针代码,然后对器件执行I²C读操作。绝大多数5V环境下的1-Wire从机选择上电默认设置工作。更改设置的典型原因是低压环境下部分1-Wire从机具有特殊的定时要求。如果默认设置不满足具体应用,需要在POR及器件复位命令后更新器件配置。
端口配置寄存器参数说明
复位低电平时间(tRSTL,参数000)
功能:确定复位/应答检测周期的持续时间,是tRSTL持续时间的两倍(见图5)。标准速度和高速模式的设置彼此独立。
范围:440µs至740µs (标准速度d)、44µs至74µs (高速)。
用途:在系统的VCC电平(= 1-Wire上拉电压)下支持具有特殊定时要求的1-Wire从机。
注:无。
应答脉冲采样时间(tMSP,参数001)
功能:确定对1-Wire总线采样检测应答脉冲的时刻tMSP (图5)。标准速度和高速模式的设置彼此独立。
范围:58µs至76µs (标准速度)、5.5µs至11µs (高速)。
用途:在系统的VCC电平(= 1-Wire上拉电压)下支持具有特殊定时要求的1-Wire从机。
注:无。
写零低电平时间(tW0L,参数010)
功能:确定写零低电平的持续时间tW0L (图2)。标准速度和高速模式的设置彼此独立。
范围:52µs至70µs (标准速度)、5.0µs至10µs (高速)。
用途:在系统的VCC电平(= 1-Wire上拉电压)下支持具有特殊定时要求的1-Wire从机。
注:写零低电平时间影响时隙持续时间(1-Wire数据率)。
写零恢复时间(tREC0,参数011)
功能:确定写零恢复的持续时间tREC0 (图2)。该设置适用于标准速度和高速模式。
范围:2.75µs至25.25µs
用途:改善供电性能,尤其对于大型网络,以及在非常低的VCC电平(= 1-Wire上拉电压)下支持具有特殊定时要求的1-Wire从机。
注:写零恢复时间影响时隙持续时间(1-Wire数据率)。
弱上拉电阻(RWPU,参数100)
功能:确定1-Wire弱上拉电阻的阻值RWPU (图1中的R2、R3)。该设置适用于标准速度和高速模式。
范围:500Ω至1000Ω
用途:支持从机工作在非常低的VCC环境。
注:选择500Ω值之前,确认产生的低电压满足DS2483和总线上全部1-Wire从机的VIL要求。
1-Wire主机端口电路
为充分发挥DS2483的优势,理解1-Wire主机端口的工作非常重要。图1所示模型包括影响其工作的主要元件。Q1产生复位脉冲、写时隙以及开始读时隙。如果器件置位配置寄存器中的APU位,当Q1停止将1-Wire总线拉低时,Q2提供有源上拉。Q2也控制供电功能,可通过SPU位(器件配置寄存器)临时使能。Q3和Q4在两种1-Wire弱上拉电阻选项间进行选择。典型情况下,Q3导通,激活1000Ω电阻。如果将DS2483配置为500Ω,Q3关断,Q4导通。Q1导通时,Q3和Q4均关断。1-Wire总线关断时(PDN = 1),Q3和Q4也关断;这种条件下,Q1导通,确保快速放电。由两个比较器U1和U2监测1-Wire总线上的电压。U1与门限VIAPO比较,确定Q2何时导通,以加速总线充电。U2与VIH1门限比较,确定读时隙是否传输了1或0,或者是否在复位/应答检测期间检测到应答脉冲。晶体管由1-Wire端口配置和控制单元控制,控制单元的输入来自比较器U1、U2及I²C主机。

图1. DS2483 1-Wire主机端口的等效功能。
DS2483如何实现1-Wire通信
1-Wire通信具有4种截然不同的信号类型,分别为写零时隙、写1/读1时隙、读零时隙和复位/应答检测周期。能够以两种速度进行通信:标准速度(默认)和高速(较快)。上电默认为标准速度。1-Wire从机的速度利用ROM功能命令切换至高速模式,该命令以标准速度发送。此后,所有通信,包括复位/应答检测周期,均以高速进行。通过以标准速度发送复位/应答检测周期,返回至标准速度。除命令和数据外,1-Wire总线也可为1-Wire从器件供电,这些从器件通常没有电源引脚。为确保正确供电,除进行通信外,1-Wire总线必须为VCC电平。
本节讲述了出现在DS2483上的 1-Wire信号。图中采用不同的线型和颜色区分不同的动作。
写零时隙
该时隙(图2)包括两部分:主机拉低(tW0L)和主机拉高(tREC0)。两个参数均可配置。上电默认值(标准速度时为64µs和5.25µs,高速时为8µs和5µs)产生的时隙持续时间在标准速度时为69.25µs (14.4kbps),高速时为13.25µs (75.5kbps)。
如果给定工作电压下的1-Wire从机支持的话,写零低电平时间tW0L可减小至60µs或6µs。对于小型网络,如果使能有源上拉(APU = 1),写零恢复时间tREC0可减小至2.75µs。可将数据率提高至15.9kbps (标准速度)和114.2kbps (高速)。重负载网络可能需要延长恢复时间。更多信息请参见DS2483可驱动多少从机?部分。

图2. 写零时隙。
写1/读1时隙
该时隙(图3)包括两部分:主机拉低(tW1L)和剩余时隙。主机拉低时间固定(标准速度时为8µs,高速时为0.75µs)。时隙持续时间可配置(等于tW0L + tREC0)。注意,写1/读1时隙为1-Wire总线提供大量能量。
在tMSR时刻,DS2483采样1-Wire总线上的电压执行读操作。从时隙的开始计算,读操作采样时间tMSR固定为12µs (标准速度)和1.75µs (高速)。这样,使电压上升至VIH1门限(读1所必须达到的电压)的时间就剩下4µs (标准速度)和1.0µs (高速)。如果使能有源上拉(APU = 1),电压在1.0µs内未达到VIH1电平,网络则不支持高速模式。更多信息请参见DS2483可驱动多少从机?部分。

图3. 写1/读1时隙。
读零时隙
该时隙(图4)包括三部分:主机拉低(tW1L)、从机拉低时间和剩余时隙。时隙持续时间可配置(等于tW0L + tREC0)。主机拉低时间固定(标准速度时为8µs,高速时为0.75µs)。注,读零时隙提供的能量小于写1/读1时隙。
在tMSR时刻,DS2483采样1-Wire总线上的电压执行读操作。从时隙的开始计算,读操作采样时间tMSR固定为12µs (标准速度)和1.75µs (高速)。从机拉低时间由从机决定。1-Wire从机数据资料通常给出典型的tMSR,而非从机拉低时间。DS2483的tMSR定时设置应满足全部标准速度1-Wire从机和几乎全部的高速模式从机。

图4. 读零时隙。
复位/应答检测周期
该信号(图5)包括4部分:复位低电平时间tRSTL期间的主机拉低、tPDH期间的主机拉高、随后从机拉低时间tPDL,以及主机拉高剩余周期。复位低电平时间和复位高电平时间的持续时间相同,可配置。上电默认值为560µs (标准速度)和56µs (高速),产生默认周期持续时间分别为1120µs和112µs。如果给定工作电压下的1-Wire从机支持的话,周期持续时间可减小至960µs或96µs。对于低压环境下的部分1-Wire从机,需要的周期时间可能比默认时间长。

图5. 复位/应答检测周期。
DS2483分两种情况采样1-Wire总线上的电压:在tSI时刻采样用于测试短路或中断,在tMSP时刻采样用于测试总线上一个或多个1-Wire从机产生的应答脉冲。从复位低电平时间结束开始计算,短路或中断的采样时间固定为8µs (标准速度)和0.75µs (高速)。这样,使电压上升至VIH1门限的时间就剩下8µs (标准速度)和0.75µs (高速),必须使电压达到VIH1门限才不至于报告总线短路。
应答脉冲的采样时间tMSP可配置。从复位低电平时间结束开始计算,上电默认值为68µs (标准)和8µs (高速)。这些值适用于大多数1-Wire从机。对于低压环境下的部分1-Wire从机,需要的采样点可能提前或者滞后。允许的tMSP范围通常在从机数据资料中给出。如果未给出,tMSP最小值等于tPDH最大值;tMSP最大值等于tPDH和tPDL之和的最小值。
与时隙相比,超过VIAPO门限后,主机有源上拉(APU = 1)并不立即开始,有源上拉开始之前的延迟最大达250ns。此外,为防止从机产生应答脉冲时从VCC至GND的低阻通路,tAPU持续时间非常短(高速时为0.5µs,标准速度时为2.5µs),并且在tSI采样事件之前结束,此后弱上拉继续。因此,无论在哪种1-Wire速度下,强烈建议使能器件配置寄存器中的有源上拉(APU = 1)。由于延迟的随机性,即使1-Wire复位命令频繁报告短路(状态寄存器位SD = 1),网络也可能在高速模式下正常工作。短路检测在标准速度下是可靠的。
DS2483可驱动多少从机?
答案取决于许多因素:工作电压和配置设置、总线上1-Wire从机的选择或组合、电缆引起的容性负载,甚至在一定程度上受工作温度的影响。
对于DS2483,可以构建一个数学模型用于描述主机(或从机)停止将总线拉低时电压的上升。这样问题就变为:DS2483是否能够驱动我的网络?如下文所示,可以通过一些数学方法来回答这一问题。
1-Wire从机的一阶模型
采用寄生方式供电的典型1-Wire从机可描述为具有两种容量的电容:低电容和高电容。由低到高的转换发生在VSRKI电压点,此时从机又开始充电。此外,1-Wire从机具有漏电流。这就产生以下描述从机的参数列表(图2)。
表2. 从机参数说明 | ||
Parameter Symbol | Description | Numeric Value/Source |
CSLOW | Slave low capacitance | 50pF, usually not specified in data sheets. |
CSHIGH | Slave high capacitance | 600pf to 1500pF typical, see slave data sheet. For VCC-powered 1-Wire slaves, the CSLOW value also applies for CSHIGH. |
VSRKI | Range transition voltage | Ca. 50% of supply voltage or 1.3V, whatever is higher; not electrically measurable. |
IL | Leakage current | 5µA to 10µA typical, see slave data sheet. |
漏电流的影响极小,除非网络拥有大量从机。对于多从机网络,必须将从机电容和漏流乘以从机的数量,如果从机类型不同,则将其相加。
DS2483主机端口的一阶模型
除工作电压外,主机端口(图1)由弱上拉电阻(可配置)、有源上拉电阻、有源上拉开始门限(若使能),以及1-Wire总线上电压达到逻辑1所必须达到的电压门限所描述。这就产生以下描述主机的参数列表(图3)。
表3. 主机参数说明 | ||
Parameter Symbol | Description | Numeric Value/Source |
RWPU | Resistor responsible for weak master pullup, red line in the figure legends or dotted red line (APU = 0) | 500Ω or 1000Ω typically, see data sheet for tolerance. |
RAPU | Resistor responsible for active master pullup, bold red line in the figure legends | 100Ω or less, depends on supply voltage, see data sheet. |
VIAPO | Threshold voltage at which the active pullup starts, if APU = 1 | 0.95V typically, see data sheet. |
VIH1 | 1-Wire input high voltage | 60% of VCC, see data sheet. |
1-Wire网络的一阶模型
对于超出电路板范围的网络,建议使用5类电话线。此类电缆的双绞线对之间的典型电容为50pF/米。电缆的特征阻抗为100Ω至110Ω,如果电缆长度超过50米,就会产生影响。
定义和准备(APU = 1)
图6所示为一个放大的时隙充电曲线。充电包括三部分:S1、S2和S3。下拉(主机或从机)结束时,S1段开始,1-Wire总线开始通过RWPU充电。越过VIAPO门限时,S1段结束。S2段从S1段结束时开始,越过VSRKI时停止。S3段从S2段结束时开始,在时隙结束时停止。

图6. APU = 1时写零充电和读1测试的分段定义。
S1段由RWPU、低电容、初始电压差ΔV1控制。S2段期间,RAPU和低电容、初始压差ΔV2一起起作用。对于第3段,我们用RAPU、高电容、初始电压差ΔV3处理。
利用式1至3计算初始电压差。
ΔV1 = VCC - RWPU × (number of slaves) × IL | (Eq. 1) |
ΔV2 = VCC - VIAPO - RAPU × (number of slaves) × IL | (Eq. 2) |
ΔV3 = VCC - VSRKI - RAPU × (number of slaves) × IL | (Eq. 3) |
使用式4和式5计算适用的电容值。
CLOW = (number of slaves) × CSLOW + (cable capacitance) | (Eq. 4) |
CHIGH = (number of slaves) × CSHIGH + (cable capacitance) | (Eq. 5) |
利用式6和7计算S1和S2段的持续时间。
S1 = -1 × RWPU × CLOW × ln(1- VIAPO/ΔV1) | (Eq. 6) |
S2 = -1 × RAPU × CLOW × ln[1- (VSRKI - VIAPO)/ΔV2] | (Eq. 7) |
写零充电测试
对于给定的VCC、从机数量和电缆电容,按照DS2483的默认配置并设置APU = 1,计算S1和S2的持续时间。
如果S1 + S2 > 5.25µs (tREC0默认值),则负载太大。增大tREC0和/或选择较低的RWPU值。
利用式8计算S3,第3段的持续时间。
S3 = tREC0 - S1 - S2 | (Eq. 8) |
现在,利用式9计算在第3段期间增加的电压。
VS3 = ΔV3 × (1 - EXP[-1 × S3/(RAPU × CHIGH)]) | (Eq. 9) |
如果VS3 + VSRKI相当高,例如VCC的80%至90%,则说明网络通过了写零充电测试。否则,将tREC0增大2.5µs,然后重复计算。为检查APU = 1和APU = 0之间的差异,用RWPU代替RAPU,重复以上计算。如果不将tREC0增大至接近其限值网络将不能通过测试。
通过该项测试非常重要,以确保从机具有足够能量储存,能够承受长系列写零时隙。网络可能仍然不能通过读1测试。
读1测试
对于该项测试,必须区分两种情况:VSRKI < VIH1和VSRKI > VIH1。
情形1:VSRKI < VIH1
第1步
取写零充电测试中的S1和S2值。如果S1 + S2大于1.0µs (= 高速tMSR - 高速tW1L),说明高速模式下测试失败。如果S1 + S2大于4µs (= 标准速度tMSR - 标准速度tW1L),说明标准速度模式下测试也失败。建议措施请参见如果标准速度下测试失败,应如何做?部分。
第2步
如果通过第1步测试,计算两种速度下读采样发生在S3的何处。
S3RO = 1.0µs - S1 - S2 | (Eq. 10a) |
S3RS = 4µs - S1 - S2 | (Eq. 10b) |
接下来,对于通过测试的速度,分别计算从S3开始到采样点S3RO和S3RS的电压增量。
VRS3O = ΔV3 × (1 - EXP[-1 × S3RO/(RAPU × CHIGH)]) | (Eq. 11a) |
VRS3S = ΔV3 × (1 - EXP[-1 × S3RS/(RAPU × CHIGH)]) | (Eq. 11b) |
如果VRS3O + VSRKI大于VIH1,说明高速模式下测试通过。网络在标准速度模式下也能正常工作。如果该项测试失败,检查VRS3S + VSRKI是否大于VIH1。如果该项测试通过,说明网络能够在标准速度模式正常工作,但在高速模式下不能工作。
情形2:VSRKI > VIH1
取写零充电测试中的S1值。然后计算读采样发生在S2段的何处。
S2R = -1 × RAPU × CLOW × ln[1 - (VIH1 - VIAPO)/ΔV2] | (Eq. 12) |
如果S1 + S2R大于1.0µs,说明高速模式下测试失败。如果S1 + S2R小于4µs,说明标准速度模式下测试通过。否则,说明即使在标准速度模式,负载也太大。这种情况下,建议措施请参见如果标准速度下测试失败,应如何做?部分。
如果读1测试通过标准速度模式下的测试,标准速度下的tSI采样自动通过测试。如复位/应答检测周期部分所述,高速模式下的tSI采样不能提供可靠结果。因此,应在标准速度模式下进行短路/中断测试(如果在应用软件中使用)。
数字示例
Parameter | Value |
VCC | 3.3V |
CSLOW | 50pF |
CSHIGH | 800pF |
CCABLE | 1000pF (20m) |
IL | 10µA |
VIAPO | 1.2V |
RWPU | 1000Ω |
RAPU | 60Ω |
VSRKI | 1.65V (50% of VCC) |
tREC0 | 5.25µs |
Recharge threshold | 90% of VCC |
VIH1 | 1.98V |
#slaves | 10 |
准备
VIH1 = 0.6 × VCC | = 1.98V |
ΔV1 = VCC - RWPU × (number of slaves) × IL | = 3.2V |
ΔV2 = VCC - VIAPO - RAPU × (number of slaves) × IL | = 2.094V |
ΔV3 = VCC - VSRKI - RAPU × (number of slaves) × IL | = 1.644 |
CLOW = (number of slaves) × CSLOW + (cable capacitance) | = 1500pF |
CHIGH = (number of slaves) × CSHIGH + (cable capacitance) | = 9000pF |
S1 = -1 × RWPU × CLOW × ln(1 - VIAPO/ΔV1) | = 0.705µs |
S2 = -1 × RAPU × CLOW × ln[1 - (VSRKI - VIAPO)/ΔV2] | = 0.0218µs |
写零充电测试
S3 = tREC0 - S1 - S2 | = 4.523µs |
VS3 = ΔV3 × (1 - EXP[-1 × S3/(RAPU × CHIGH)]) | = 1.644V |
VS3END = VSRKI + VS3 | = 3.294V |
VS3END > 2.97V (90% of VCC); passed. |
读1测试
情形1:VSRKI < VIH1
第1步
S1 + S2 = 0.7268µs < 1.0µs: passed for overdrive speed.
S1 + S2 = 0.7268µs < 4µs; passed for standard speed.
S1 + S2 = 0.7268µs < 4µs; passed for standard speed.
第2步
S3RO = 1.0µs - S1 - S2 | = 0.273µs |
VRS3O = ΔV3 × (1 - EXP[-1 × S3RO/(RAPU × CHIGH)]) | = 0.653V |
0.653V + 1.65V = 2.303V > 1.98V; passed for overdrive speed. | |
S3RS = 4µs - S1 - S2 | = 3.273µs |
VRS3S = ΔV3 × (1 - EXP[-1 × S3RS/(RAPU × CHIGH)]) | = 1.640V |
1.640V + 1.65V = 3.29V > 1.98V; passed for standard speed. |
由于VSRKI < VIH1,不用使用情形2。
如果标准速度下测试失败,应如何做?
一般而言,主机可驱动的从机数量随电源电压VCC增大而增多。如果网络在3.3V下未通过测试,也许能够在5V下工作。如果负载仍然太大,将网络分成较小的网络,利用电子开关每次在其中一个小网络上工作,如指南148《长线1-Wire®网络可靠设计指南》中所述。由于读采样时间tMSR固定为12µs,所以DS2483不能补偿长电缆(例如100m或更长)上发生的信号传输延迟。对于此类应用,DS2480B主机是更好的选择,尽管并不完美。参考设计244《性能优异的1-Wire网络驱动器》中实现了适用于长路的最终驱动。
总结
DS2483代表了下一代集成1-Wire主机。从功能上讲,器件采用了DS2482的便利性,并且具有与DS2480B类似的负载处理能力。DS2483配置灵活,具有2级节电模式和电平转换器功能,非常适合于电池供电的应用。本应用笔记介绍1-Wire主机端口的工作,给出关于更改默认配置的建议,并介绍了如何确定给定网络的驱动能力。测试驱动能力的数学模型可作为Excel®电子表格下载。