AN-1360: ADGM1304和ADGM1004如何增加测试仪器仪表的通道密度和测试功能
简介
本应用笔记探讨 ADGM1304 和 ADGM1004微机电系统(MEMS)开关,以及这些开关在测试设备应用中发挥的积极作用,特别是在自动测试设备(ATE)应用领域。与RF继电器相比,MEMS开关具有小尺寸优势、高宽带射频(RF)性能、dc/0 Hz精密性能以及机械寿命优势,因而在ATE应用中非常重要。
典型信号链和方框图显示了MEMS开关可在哪些应用中使用,与常用的RF继电器相比,MEMS开关可在哪些方面实现增值,包括减少电路板占用面积和改进性能。本应用笔记还讨论在测试设备中使用的常见继电器,并将其性能与MEMS开关进行了比较。
测试仪器仪表中的开关
背景
开关功能是所有电子测试仪器仪表中的一项基本关键功能。由于待测器件(DUT)的复杂性提高,通道/引脚数量和功能增加,因而测试类型和所需测试数量也随之增加。DC电压和电流精度性能测试、混合信号测试、高频率数字测试、RF测试都可能用于单个器件评估,这些测试通常同时进行。由于每个器件评估需要进行数百项测试,特别是在自动测试设备(ATE)中,因此测试速度非常重要。使用的测试类型和信号的复杂性会影响测试硬件架构,以及相关的开关功能。对于ATE测试仪器仪表,典型测试设备设置的高级别方框图如图1所示。通常数字引脚驱动器、参数测量单元(PMU)、电源和相关开关均集成于ATE测试设备内部的单个仪器测试卡。
在测试设备外部,可能还需要辅助开关功能,特别是在器件接口板(DIB)上,它有时也被称为测试接口单元(TIU)。图2显示用于待测器件的ac/RF测试设置的此类功能和开关示例。在待测器件的测试板上,通常需要信号滤波、放大和校准路径,以提供足够的测试灵活性,从而改进测试系统性能,例如最大程度地降低本底噪声、减少印刷电路板(PCB)的损耗。
使用的开关类型取决于信号类型和所需性能。互补性金属氧化物半导体(CMOS)开关、photoMOS 开关、舌簧继电器、机电继电器(EMR)开关、基于砷化镓(GaAs)和绝缘硅片(SOI)的 RF 开关都可用于现代测试设备和器件 TIU 板。
很多高性能固态开关也用于 ATE 测试设备;但是,当 dc PMU信号和高速数字/RF 信号需要在共同测试路径上传输,而且只能产生很小的信号损失和失真时,仍然需要大型 EMR 开关。而在测试高性能电子设备时,通常必须达到上述测试要 求。RF 或高速数字器件通常要经过很多次精密电压和电流DC 测试、高速数字接口测试以及 RF 信号发送/接收测试。这种基于 PMU 的精密测试通常用于待测器件的漏电特性评估,与高速测量相结合,是一种重要的器件性能检查方式。精密测试和高速测试要求通常会带来对高性能 EMR 的使用需求。
EMR 可能存在一些局限性。它们体积大,驱动速度慢,使用寿命也非常有限,从布线的角度来看,很难设计到 PCB中,需要外部的高功率驱动器电路,返工复杂繁琐。除非使用同轴连接器类型的大型模块化外形 EMR,否则带宽非常有限,可能极大限制可实现的系统性能和系统通道数。
MEMS开关的优势
MEMS技术
ADI公司的MEMS开关既具备EMR的优点,同时尺寸大幅缩小,而且还提高了RF额定性能和使用寿命。有关MEMS开关技术的详细讨论,请参见技术文章“ADI公司的革命性MEMS开关技术基本原理 ”。在测试仪器仪表中,开关尺寸非常重要,可决定在测试设备仪器电路板或待测器件接口TIU板上能够实现的功能和通道数。图3显示ADGM13040Hz/dc至14 GHz带宽、单刀四掷(SP4T) MEMS开关,被放置在典型的3 GHz带宽双刀双掷(DPDT) EMR之上。就体积差异来看,尺寸可缩小90%以上。
除了 MEMS 技术的物理尺寸优势之外,MEMS 开关的电气和机械性能也具有很大优势。表 1 显示ADGM1304和ADGM1004器件的一些关键规格,与典型的更高频率单刀双 掷 (SPDT) 8 GHz EMR 进行比较。 ADGM1304 和ADGM1004器件具有出色的带宽、插入损耗和切换时间,使用寿命为 10 亿个周期。高带宽是驱动开关进入新应用领域的关键。低功耗、低电压、集成电源的驱动器是 MEMS开关的另外几大关键优势。ADGM1004具有较高的静电放电(ESD)额定值,人体模型(HBM)的 ESD 额定值为 2.5 kV,电场感应器件充电模型(FICDM)的 ESD 额定值为 1.25 kV,从而进一步增强了易用性。
开关参数 | ADGM1304 MEMS | ADGM1004 MEMS | 8 GHz EMR(典型值) |
开关配置 | SP4T | SP4T | SPDT (1 Form C) |
工作频率(3 dB) | 0 Hz/dc 至 14 GHz | 0 Hz/dc至13 GHz | 0 Hz (dc)至8 GHz |
LFCSP尺寸 | 4 mm × 5 mm × 0.95 mm | 4 mm × 5 mm × 1.45 mm | 8.0 mm × 9.4 mm (TO-5) |
导通电阻 (RON) | 1.6 Ω (典型值) | 1.8 Ω (典型值) | 0.15 Ω(最大值) |
导通泄漏 | 5 nA | 5 nA | 5 nA |
驱动寿命 | 10亿周期(最小值) | 10亿周期(最小值) | 1000万个周期(典型值) |
开关速度 | 30 μs (典型值) | 30 μs (典型值) | 4 ms(最大值) |
电源 | 3.3 V (10 mW = 3.3 V x 2.9 mA), 集成驱动器 | 3.3 V (10 mW = 3.3 V x 2.9 mA), 集成驱动器 | 5 V (280 mW),需要外部驱动器 |
插入损耗(IL) | 0.4 dB(典型值,6 GHz | 0.6 dB(典型值,6 GHz) | 0.8 dB(典型值,6 GHz) |
关断隔离 | 24 dB(典型值,2.5 GHz) | 24 dB(典型值,2.5 GHz) | 27 dB(典型值,3.0 GHz) |
功率额定值 | 36 dBm, ±6 V dc | 32 dBm, ±6 V dc | 1 Amp/28 V dc |
ESD额定值,RF端口(HBM;FICDM) | 100V; 500V | 2.5 kV; 1.25 kV | 未指定 |
图4显示ADGM1304 SP4T MEMS开关的插入损耗和关断隔离,与测试仪器仪表中常用的 DPDT 3 GHz EMR 进行比较。图 4 显示了 MEMS 开关相对于 EMR 的信号带宽优势。
MEMS开关应用示例
过去,要在ATE测试设备中实现dc/RF开关功能,必须使用EMR开关。但是,由于存在以下问题,使用继电器可能会限制系统性能:
- 继电器开关的尺寸较大,必须遵守“禁区”设计规则,这意味着它要占用很大面积,缺乏测试可扩展性。
- 继电器开关的使用寿命有限,仅为数百万个周期。
- 必须级联多个继电器,才能实现需要的开关配置(例如,SP4T配置需要三个SPDT继电器)
- 使用继电器时,可能遇到PCB组装问题,通常导致很高的PCB返工率。
- 由于布线限制和继电器性能限制,实现全带宽性能可能非常困难。
- 继电器驱动速度缓慢,为毫秒级的时间量级,从而限制了测试速度。
图5至图7显示了MEMS开关如何消除这些限制,增强其在ATE应用中的价值。图5和图6显示了典型的dc/RF开关扇出应用原理图,分别使用 EMR 开关以及 ADGM1304 或ADGM1004 MEMS开关。图7显示了实现这两个原理图的视觉演示PCB的照片。该演示中使用扇出16:1多路复用功能。图5中的继电器为DPDT EMR继电器。需要九个DPDT继电器和一个继电器驱动器IC,来实现18:1多路复用功能(八个DPDT继电器只能产生14:1多路复用功能)。物理继电器解决方案显示在图7左侧,该图说明了继电器解决方案占用了多大的面积、保持布线连接之间的对称如何困难,以及对驱动器IC的需求。
图6和图7右侧显示了相同的扇出开关功能,仅使用五个ADGM1304或ADGM1004 SP4T MEMS开关,因而得以简化。从图6和图7右侧可看出,占用PCB面积减小,开关功能的布线复杂性降低。按面积计算,MEMS开关使占用面 积减少68%以上,按体积计算,则可能减少95%以上。ADGM1304和ADGM1004 MEMS开关内置低电压、可独立控制的开关驱动器;因此,它们不需要外部驱动器IC。由于MEMS开关封装的高度较小(ADGM1304的封装高度为0.95 mm,ADGM1004的封装高度为1.45 mm),因此开关可以安装在PCB的反面。较小的封装高度增大了可实现的通道密度。
图8显示了另一个测试设备开关使用示例。该图显示连接高速或RF待测器件的测试接口的典型原理图,使用EMR作为开关元件。在本例中,评估电子设备需使用高速RF信号和数字/DC信号。
图8所示的解决方案使用继电器作为开关解决方案。需要14个SPDT继电器来实现带通滤波器选择、数字信号路由、DC参数测试功能。需要级联继电器。
使用MEMS开关的等效解决方案如图9所示。图9显示使用MEMS开关时功能增强型测试接口简化设计。此设计仅需六个ADGM1304/ADGM1004开关,从而显著降低了布线复杂性和占用电路板面积。整体而言, ADGM1304 或ADGM1004开关的SP4T配置可提供更多功能通道,并实现更多数字和DC参数测试功能:使用MEMS开关可实现八种功能,而使用继电器仅实现四种功能。MEMS开关具有14 GHz宽带宽、0 Hz/dc工作频率、小尺寸封装和低电压控制特性,这种解决方案更加灵活,延长了使用寿命,减小了占用面积,能够同时实现高精度高速数字信号路由和较宽带宽的RF信号路由。
小结
随着器件复杂性和测试要求提高,从最佳性能和空间效率的角度来看,实现ATE解决方案的难度很大。由于dc/数字和RF功能现在成为普遍要求,开关也成为ATE自动测试解决方案的必不可少的部分。ADI公司的MEMS开关技术独树一帜,与传统的RF继电器解决方案相比,它提升了测试功能和性能,而且占用的PCB面积更小。ADGM1304和ADGM1004 SP4T MEMS开关具有精密DC性能和宽带RF性能,采用小尺寸SMD封装,驱动功率要求较低,使用寿命长,ESD可靠性增强。这些特性使得ADI公司的MEMS开关技术成为所有现代ATE设备的理想通用开关解决方案。
参考电路
ADI 公司将 MEMS 开关技术真正投入商用。ADI 公司产品亮点。2017。
Carty, Eric。关于 ADI 新型 RF MEMS 开关技术的基本知识。视频。ADI 公司。2016。
Carty,Eric 和 McDaid,Padraig。开创性的 5 kV ESD MEMS开关技术。技术文章。ADI 公司。2017。
Carty, Eric、Fitzgerald,Padraig 和 McDaid,Padraig。ADI公司的革命性 MEMS 开关技术基本原理。技术文章。ADI公司。2016。