MAX11015
RF MESFET放大器漏极电流自动控制器
双MESFET偏置控制，用于A类和AB类放大器
产品详情
- 双通道漏极电流检测放大器
- 预设增益为4
- 在75mV至625mV检测电压范围内精度为±0.5% (MAX11014)
- 取样电阻共模电压范围
- 0.5V至11V (MAX11014)
- 5V至32V (MAX11015)
- 低噪声栅极偏置输出，具备±10mA栅极驱动能力
- 快速嵌位和上电复位
- 12位DAC控制MESFET栅极电压
- 内部温度传感器/双通道外部温度传感器
- 内部12位ADC测量温度和电压
- 可通过引脚选择串行接口
- 3.4MHz I²C兼容接口
- 20MHz SPI/MICROWIRE兼容接口
MAX11014/MAX11015设置和控制双路MESFET功率器件的偏置状态，用于点对点通信或其他微波基站。MAX11014集成有两路完整的闭环模拟漏极电流控制器，用于工作在A类放大器的MESFET，而MAX11015针对AB类工作。这两种器件都集成有SRAM查找表(LUT)，用于保存温度和漏极电流补偿数据。
每种器件都包含两个高边电流监测放大器，以监测MESFET的漏极电流在取样电阻上的压降，其范围为0至625mV。外部采用二极管连接的晶体管用于监测MESFET的温度，内部温度传感器监测MAX11014/MAX11015管芯的本地温度。内部DAC通过控制栅极电压来设置电流取样电阻上的压降。内部12位SAR型ADC将内部和外部温度、内部DAC的电压、电流检测放大器的电压以及外部的栅极电压数字化。该11通道ADC其中的两个通道可作为通用模拟输入，用于模拟系统监视。
MAX11014的栅极驱动放大器提供积分功能，用于A类漏极电流控制环路，而MAX11015的栅极驱动放大器提供-2倍放大功能，用于AB类应用。带电流限制的栅极驱动放大器可以被快速嵌位至外部电压，而不依赖串行接口的数字输入。MAX11014和MAX11015都包含有自校准模式，以使由时间、温度和电源带来的误差最小化。
MAX11014/MAX11015包含有内部基准，并可以使ADC和DAC单独采用外部基准。内部基准为ADC、DAC和温度传感器提供经过良好稳压的+2.5V低噪声基准电压。这些内部电路由4线制20MHz SPI™/MICROWIRE™兼容或3.4MHz I²C兼容串行接口控制(可通过引脚选择)。两种器件都采用+4.75V至+5.25V的模拟电源(电流典型值2.8mA)、+2.7V至+5.25V的数字电源(电流典型值1.5mA)和-4.5V至-5.5V负电源(电源电流1.1mA)供电。MAX11014/MAX11015提供48引脚薄型QFN封装，工作于-40°C至+105°C温度范围。
应用
- 蜂窝基站RF MOSFET偏置控制
- 工业过程控制
- 点到点或一点到多点链路
参考资料
硬件生态系统
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