HMC755
过期1 W功率放大器，采用SMT封装，2.3 - 2.8 GHz
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产品详情
- 高增益： 31 dB
- 高PAE： 28% (+33 dBm Pout) t
- 低EVM： 2.5% (Pout = +25 dBm)，具有54 Mbps OFDM信号
- 高输出IP3： +43 dBm
- 集成式检波器和功率控制
- 24引脚4x4mm QFN封装： 16mm
HMC755LP4E是一款高增益、高线性度GaAs InGaP HBT MMIC功率放大器，工作频率范围为2.3至2.8 GHz。 该放大器采用+5V单电源，增益为31 dB，饱和功率为+33 dBm。 功率控制引脚(VEN1, 2, 3)可用于降低RF输出功率/静态电流，或用于全省电模式PA控制。集成式输出功率检波器(VDET)内部耦合，无需外部元件。 对于+25 dBm OFDM输出功率(64 QAM, 54 Mbps)，HMC755LP4E可实现仅为2.5%的误差矢量幅度(EVM)，使其非常适合WiMAX/LTE/4G应用。 该放大器采用紧凑型QFN SMT封装，只需极少的外部匹配元件。
应用
- 蜂窝/3G和LTE/4G
- WiMAX、WiBro和固定无线
- 军事和SATCOM
- 测试设备
推荐替代产品
InGaP HBT功率放大器SMT，2.2 - 2.8 GHz
参考资料
硬件生态系统
| 部分模型 | 产品周期 | 描述 |
|---|---|---|
| HMC414 | 推荐新设计使用 |
InGaP HBT功率放大器SMT，2.2 - 2.8 GHz |
工具及仿真模型
S-参数 1
评估套件
HMC755LP4E 评估板
资料
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