DS2050W
3.3V、单芯片、4Mb非易失SRAM
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产品详情
- 单片、可回流焊接的27mm x 27mm BGA封装
- 内置ML电池与充电器
- VCC超出容许范围时无条件写保护SRAM
- 出现VCC电源故障时,自动切换到电池供电
- 内置电源监视器,用来检测低于VCC标称值(3.3V)的电源故障
- 复位输出可用作微处理器的CPU监视器
- 工业级温度范围(-40°C至+85°C)
DS2050W是4Mb可回流焊的非易失(NV) SRAM,由静态RAM (SRAM)、NV控制器、内部可充电锰锂(ML)电池组成。这些元件可以封装在256焊球、BGA表贴模块中。只要VCC作用到模块上,就对ML电池充电,利用外部电源为SRAM供电,并允许修改SRAM的内容。VCC断电或超出容许范围时,控制器对SRAM的内容写保护,并用电池为SRAM供电。DS2050W还包含电源监视输出/RST,可以用作微处理器的CPU监控。
应用
- 数据采集系统
- 烟雾报警器
- 游戏机PLC
- 工业控制器
- POS终端
- RAID系统和服务器
- 路由器/交换机
参考资料
这是最新版本的数据手册
硬件生态系统
部分模型 | 产品周期 | 描述 |
---|---|---|
产品 1 | ||
DS2065W | 3.3V、单芯片、8Mb非易失SRAM |
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