DS1225Y

64K非易失SRAM

数据手册 (Rev. 4)
产品技术资料帮助

ADI公司所提供的资料均视为准确、可靠。但本公司不为用户在应用过程中侵犯任何专利权或第三方权利承担任何责任。技术指标的修改不再另行通知。本公司既没有含蓄的允许，也不允许借用ADI公司的专利或专利权的名义。本文出现的商标和注册商标所有权分别属于相应的公司。
Viewing:
  • 产品详情
  • 参考资料
  • 最新评论
    •

    产品详情

    • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
    • 掉电期间数据被自动保护
    • 直接替代2k x 8易失静态RAM或EEPROM
    • 没有写次数限制
    • 低功耗CMOS操作
    • JEDEC标准的28引脚DIP封装
    • 150ns的读写时间
    • ±10%工作范围
    • 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND
    DS1225Y
    64K非易失SRAM
    提问

    参考资料

    数据手册 2

    设计笔记 1

    了解更多

    最新评论

    需要发起讨论吗？ 没有关于 DS1225Y的相关讨论？是否需要发起讨论？

    在EngineerZone®上发起讨论