DS1225Y

64K非易失SRAM

数据手册 (Rev. 4)
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  • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 直接替代2k x 8易失静态RAM或EEPROM
  • 没有写次数限制
  • 低功耗CMOS操作
  • JEDEC标准的28引脚DIP封装
  • 150ns的读写时间
  • ±10%工作范围
  • 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND
DS1225Y
64K非易失SRAM
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数据手册 2

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