DS1200

串行RAM芯片

数据手册 (Rev. 1)
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  • 1024位读/写存储器
  • 对于备用电池应用提供极低的数据保持电流
  • 每秒四百万比特的数据率
  • 具有单字节或多字节数据传输能力
  • 没有写次数限制
  • 低功耗CMOS电路
DS1200
串行RAM芯片
DS1200：原理框图
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数据手册 2

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