ADR425

量产

超精密、低噪声、5.00 V XFET® 基准电压源

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产品详情

低噪声（0.1 Hz至10 Hz）
ADR420: 1.75 μV 峰峰值
ADR421: 1.75 μV 峰峰值
ADR423: 2.0 μV峰峰值
ADR425: 3.4 μV峰峰值
低温度系数：3 ppm/°C
长期稳定性：50 ppm/1000小时
负载调整率：70 ppm/mA
电压调整率：35 ppm/V
低迟滞：40 ppm（典型值）
宽工作电压范围
ADR420: 4 V 至 18 V
ADR421: 4.5 V 至18 V
ADR423: 5 V 至18 V
ADR425: 7 V 至 18 V
静态电流：0.5 mA（最大值）
高输出电流：10 mA
宽温度范围：−40°C至+125°C

ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。

产品型号	引脚/封装图-中文版	文档	CAD 符号，脚注和 3D模型
ADR425ARMZ	8-Lead MSOP	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
ADR425ARMZ-REEL7	8-Lead MSOP	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
ADR425ARZ	8-Lead SOIC	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
ADR425ARZ-REEL7	8-Lead SOIC	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
ADR425BRZ	8-Lead SOIC	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
ADR425BRZ-REEL7	8-Lead SOIC	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys

产品型号	产品生命周期	PCN

10月 26, 2015 - 15_0176 Assembly Transfer of Select 8/10L MSOP Products to Amkor Philippines
		PCN15_0176_Form Material_Report Detailed Change Description Qualification Results Summary Qualification Results Summary
ADR425ARMZ	量产
ADR425ARMZ-REEL7	量产
5月 15, 2012 - 10_0006 Halogen Free Material Change for mini SOIC Products
		PCN10_0006_Form Material_Report Qualification Report Summary Qualification Report Summary
ADR425ARMZ	量产
ADR425ARMZ-REEL7	量产
8月 5, 2010 - 10_0165 ADR42X Front End Manufacturing Change
		PCN10_0165_Form Material_Report Qualification Plan Summary
ADR425ARMZ	量产
ADR425ARMZ-REEL7	量产
ADR425ARZ	量产
ADR425ARZ-REEL7	量产
ADR425BRZ	量产
ADR425BRZ-REEL7	量产
11月 23, 2010 - 10_0004 Halogen Free Material Change for SOIC Narrow Body Products Assembled at Amkor
		PCN10_0004_Form Material_Report ADI0012 Reliability Report
ADR425ARZ	量产
ADR425ARZ-REEL7	量产
ADR425BRZ	量产
ADR425BRZ-REEL7	量产

这是最新版本的数据手册

部分模型	产品周期	描述
正线性稳压器(LDO) 1
LT3040	推荐新设计使用	20V、200mA、超低噪声、超高 PSRR 精准 DAC/基准缓冲器